发明名称 微波传输线路
摘要 本发明可维持将矽基板作为信号传播媒体之微波传输线路的长期安定性,并防止传输损耗之劣化。本发明于含有高电阻矽之基板1之主面上,依次形成有含有氧化矽之保护膜2、含有氧化铝之电位中和膜3及条状金属4。保护膜2具有正空间电荷,电位中和膜3具有负空间电荷,信号电场在基板1、保护膜2以及电位中和膜3传播,保护膜2以及电位中和膜3之各膜厚系经调整以中和基板1表面附近之电位。
申请公布号 TWI280654 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW094101731 申请日期 2005.01.20
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 竹中勉
分类号 H01L27/04(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种微波传输线路,其特征在于包含: 含有高电阻矽之基板; 依次形成于上述基板之主面上,且组成互异之第1 介电质膜及第2介电质膜;及 至少介隔上述第1介电质膜而形成之导体膜; 上述第1介电质膜及第2介电质膜中,一方具有正空 间电荷,另一方具有负空间电荷; 信号电场在上述基板、上述第1介电质膜及上述第 2介电质膜传播。 2.如请求项1之微波传输线路,其中上述第1介电质 膜及第2介电质膜中,具有正空间电荷之介电质膜 含有氧化矽,具有负空间电荷之介电质膜含有氧化 铝。 3.如请求项2之微波传输线路,其中上述第1介电质 膜含有氧化矽,上述第2介电质膜含有氧化铝。 4.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中上 述第1介电质膜及第2介电质膜之各膜厚系经调整 以中和上述基板表面附近的电位。 5.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中上 述第1介电质膜及第2介电质膜中之至少一方系与 另一方之介电质膜交互积层而形成,以中和上述基 板之表面附近的电位。 6.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中上 述第2介电质膜仅形成于上述基板中信号电场密度 较高之部分。 7.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中进 而具有形成于与上述基板之主面相反侧之面上的 接地导体膜。 8.如请求项7之微波传输线路,其中进而具有依次形 成于上述基板与上述接地导体膜之间且组成互异 之第3介电质膜及第4介电质膜; 上述第3介电质膜及第4介电质膜中,一方具有正空 间电荷,另一方具有负空间电荷。 9.如请求项8之微波传输线路,其中上述第3介电质 膜及第4介电质膜中,具有正空间电荷之介电质膜 含有氧化矽,具有负空间电荷之介电质膜含有氧化 铝。 10.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中上 述导体膜含有第1导体膜及第2导体膜,其系于上述 基板之主面上互相隔开间隔且互相并行形成者。 11.如请求项10之微波传输线路,其中上述第2介电质 膜仅形成于上述基板中信号电场密度较高之部分 。 12.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中于 上述基板主面上之上述导体膜之两侧进而具有与 上述导体膜隔以间隔而分别形成的接地导体膜。 13.如请求项12之微波传输线路,其中上述第2介电质 膜仅形成于上述基板中信号电场密度较高之部分 。 14.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中上 述基板之导电型为p型,上述基板中多数载子密度 为11013 cm-3以下。 15.如请求项1至3中任一项之微波传输线路,其中上 述导体膜与形成于上述基板主面上的电晶体、二 极体、电阻元件、电容器元件及电感器元件中之 至少一个连接。 图式简单说明: 图1系表示本发明之第1实施形态之微波传输线路 即微条状线路的剖面立体图。 图2系表示本发明之第1实施形态之第1变形例之微 波传输线路即微条状线路的剖面立体图。 图3系表示本发明之第1实施形态之第2变形例之微 波传输线路即微条状线路的剖面立体图。 图4系表示本发明之第2实施形态之微波传输线路 即条状线路的剖面立体图。 图5系表示本发明之第3实施形态之微波传输线路 即共平面导波路线路的剖面立体图。 图6系表示本发明之第4实施形态之微波传输线路 即槽线路的剖面立体图。 图7系表示本发明之第5实施形态之使用有微波传 输线路之高频积体电路装置的剖面图。 图8系表示本发明之第5实施形态之使用有微波传 输线路之高频积体电路装置的电路图。
地址 日本