| 主权项 |
1.一种可与低压元件制程匹配之高压元件制程,包 括有下列步骤: 提供一具有第一导电型之半导体矽基底,其表面上 定义有一高压元件区域以及一低压元件区域,且其 表面上形成有一具有第二导电型之磊晶层; 对该高压元件区域之预定闸极结构区域之该磊晶 层进行一起始电压调整之离子布植制程; 于该高压元件区域之预定闸极结构区域内定义形 成复数个第一闸极结构,其中该第一闸极结构系由 一第一闸氧化层以及一第一多晶矽层所堆叠而成; 于该高压元件区域内进行一具有第一导电型之离 子布植制程以及一热退火处理,以于两相邻之第一 闸极结构之间的磊晶层中形成一具有第一导电型 之离子扩散区;以及 于该低压元件区域内之预定闸极结构区域内定义 形成复数个第二闸极结构,其中该第二闸极结构系 由一第二闸氧化层、一第二多晶矽层以及一金属 矽化物层所堆叠而成。 2.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中当该第一导电型为P型, 则该第二导电型为N型。 3.如申请专利范围第2项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该离子扩散区为P+型。 4.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该起始电压调整之离子 布植制程包含有下列步骤: 于该磊晶层之表面上提供一第一光阻层,以覆盖该 低压元件区域之整个表面以及该高压元件区域之 预定闸极结构区域以外之表面; 以该第一光阻层为罩幕,对该高压元件区域之预定 闸极结构区域进行该起始电压调整之离子布植制 程;以及 去除该第一光阻层。 5.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该高压元件区域之第一 闸极结构的制作方法包含有下列步骤: 于该磊晶层之整个表面上依序沉积该一第一闸氧 化层以及该第一多晶矽层; 于该高压元件区域之第一多晶矽层表面上形成一 第二光阻层,用以定义该第一闸极结构之图案; 以该第二光阻层为罩幕进行蚀刻制程,将该高压元 件区域之该第一闸氧化层以及该第一多晶矽层定 义形成该第一闸极结构,并同时将该低压元件区域 内之该第一闸氧化层以及该第一多晶矽层完全去 除;以及 去除该第二光阻层。 6.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该高压元件区域之离子 扩散区的制作方法包含有下列步骤: 提供一第三光阻层,用以覆盖该低压元件区域之整 个表面; 以该第一闸极结构为硬罩幕,于该高压元件区域内 进行该具有第一导电型之离子布植制程以及该热 退火处理,以于两相邻之第一闸极结构之间的磊晶 层中形成该具有第一导电型之离子扩散区;以及 去除该第三光阻层。 7.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该低压元件区域之第二 闸极结构的制作方法包含有下列步骤: 于该半导体矽基底之整个表面上依序沉积该第二 闸氧化层、该第二多晶矽层以及该金属矽化物层; 以及 进行微影蚀刻制程,将该低压元件区域之该第二闸 氧化层、该第二多晶矽层以及该金属矽化物层定 义形成为该第二闸极结构,并同时将该高压元件区 域之该第二闸氧化层、该第二多晶矽层以及该金 属矽化物层完全去除。 8.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该金属矽化物层的材质 为矽化钨(WSix)。 9.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该磊晶层内包含有一第 一导电型井,系位于该低压元件区域之该第二闸极 结构之下方。 10.如申请专利范围第1项所述之可与低压元件制程 匹配之高压元件制程,其中该磊晶层之表面包含有 复数个场氧化层。 11.一种可与低压元件制程匹配之高压元件制程,包 括有下列步骤: 提供一P型之半导体矽基底,其表面上定义有一高 压元件区域以及一低压元件区域,且其表面上形成 有一N型之磊晶层; 对该高压元件区域之预定闸极结构区域之该磊晶 层进行一起始电压调整之离子布植制程; 于该高压元件区域之预定闸极结构区域内定义形 成复数个第一闸极结构,其中该第一闸极结构系由 一第一闸氧化层以及一第一多晶矽层所堆叠而成; 于该高压元件区域内进行一P+型之离子布植制程 以及一热退火处理,以于两相邻之第一闸极结构之 间的磊晶层中形成一P型体;以及 于该低压元件区域内之预定闸极结构区域内定义 形成复数个第二闸极结构,其中该第二闸极结构系 由一第二闸氧化层、一第二多晶矽层以及一矽化 钨层所堆叠而成。 12.如申请专利范围第11项所述之可与低压元件制 程匹配之高压元件制程,其中该起始电压调整之离 子布植制程包含有下列步骤: 于该磊晶层之表面上提供一第一光阻层,以覆盖该 低压元件区域之整个表面以及该高压元件区域之 预定闸极结构区域以外之表面; 以该第一光阻层为罩幕,对该高压元件区域之预定 闸极结构区域进行该起始电压调整之离子布植制 程;以及 去除该第一光阻层。 13.如申请专利范围第11项所述之可与低压元件制 程匹配之高压元件制程,其中该高压元件区域之第 一闸极结构的制作方法包含有下列步骤: 于该磊晶层之整个表面上依序沉积该一第一闸氧 化层以及该第一多晶矽层; 于该高压元件区域之第一多晶矽层表面上形成一 第二光阻层,用以定义该第一闸极结构之图案; 以该第二光阻层为罩幕进行蚀刻制程,将该高压元 件区域之该第一闸氧化层以及该第一多晶矽层定 义形成该第一闸极结构,并同时将该低压元件区域 内之该第一闸氧化层以及该第一多晶矽层完全去 除;以及 去除该第二光阻层。 14.如申请专利范围第11项所述之可与低压元件制 程匹配之高压元件制程,其中该高压元件区域之离 子扩散区的制作方法包含有下列步骤: 提供一第三光阻层,用以覆盖该低压元件区域之整 个表面; 以该第一闸极结构为硬罩幕,于该高压元件区域内 进行P+型之离子布植制程以及该热退火处理,以于 两相邻之第一闸极结构之间的磊晶层中形成该P型 体;以及 去除该第三光阻层。 15.如申请专利范围第11项所述之可与低压元件制 程匹配之高压元件制程,其中该低压元件区域之第 二闸极结构的制作方法包含有下列步骤: 于该半导体矽基底之整个表面上依序沉积该第二 闸氧化层、该第二多晶矽层以及该矽化钨层;以及 进行微影蚀刻制程,将该低压元件区域之该第二闸 氧化层、该第二多晶矽层以及该金属矽化物层定 义形成为该第二闸极结构,并同时将该高压元件区 域之该第二闸氧化层、该第二多晶矽层以及该矽 化钨层完全去除。 16.如申请专利范围第11项所述之可与低压元件制 程匹配之高压元件制程,其中该磊晶层内包含有一 P型井,系位于该低压元件区域之该第二闸极结构 之下方。 17.如申请专利范围第11项所述之可与低压元件制 程匹配之高压元件制程,其中该磊晶层之表面包含 有复数个场氧化层。 图式简单说明: 第1A与1B图显示习知自动对准P型体制程的剖面示 意图。 第2A与2B图显示本发明自动对准P型体制程的剖面 示意图。 第3A至3F图显示本发明高压元件制程的剖面示意图 。 |
