发明名称 真空处理方法及真空处理装置
摘要 本发明系关于一种真空处理方法及真空处理装置;也就是说,本发明系提供一种即使是对于引起于位置修正后之晶圆搬送中之位置偏离也能够适当地处置并且不降低晶圆之搬送速度之高良品率之半导体处理装置。根据检测在真空自动装置之旋转时之晶圆之遮光角度之θ轴感测器以及检测在真空自动装置之伸缩时之晶圆之遮光距离之R轴感测器之输出,而求出晶圆相对于真空自动装置之位置修正量,在位置修正量偏离特定之规格值之状态下,进行位置资料之变更动作,并且,在根据前述θ轴感测器和前述R轴感测器之输出所得到之距离资料超过特定之容许值之状态下,成为位置偏离错误,来进行动作之停止。
申请公布号 TW200717690 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW095106629 申请日期 2006.02.27
申请人 日立全球先端科技股份有限公司 发明人 永安伸男;木原秀树;川口道则;大平原勇造
分类号 H01L21/68(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/68(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本