横向生长奈米管及其形成方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置(10)，其具有由奈米管(例如碳)形成的横向导体或迹线。一牺牲层(16)系形成于基板(12)上面。一介电层(18)系形成于该牺牲层上面。一横向开口(34)系藉由移除位于两行金属触媒之间的该介电层与该牺牲层之一部分来形成。该横向开口包括一颈部分及一腔部分，该腔部分用作一限制空间以生长一奈米管。一电浆(36)用于施加形成一电场之电荷，该电场控制该等奈米管之形成方向。来自各行金属触媒的奈米管(42、44)系横向生长且邻接或合并为一奈米管。该奈米管之接触可由该颈部分(24)或该等金属触媒(20、22)行制成。