| 摘要 |
本发明描述通式(I)钽和铌化合物及其用于化学气相沉积法的应用：其中M表示Nb或Ta，R1和R2互相独立地表示任选取代的C1-C12烷基、C5-C12环烷基、C6-C10芳基、1-烯基、2-烯基、3-烯基、三有机基甲矽烷基-SiR3或胺基NR2，其中R表示C1-C4烷基，R3表示任选取代的C1-C8烷基、C5-C10环烷基、C6-C14芳基、SiR3或NR2，R4表示选自Cl、Br、I的卤素：或NH-R5，其中R5=任选取代的C1-C8烷基、C5-C10环烷基或C6-C10芳基；或O-R6，其中R6=任选取代的C1-C11烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基；或-SiR3；或BH4；或任选取代的烯丙基；或基；或任选取代的基；或任选取代的环戊二烯基；或-NR-NR'R"((-1))，其中R、R'和R"互相独立地具有R的上述含义；或CH2SiMe3、拟卤化物(如-N3)、或甲矽烷基胺化物-N(SiMe3)2，R7和R8互相独立地表示H、任选取代的C1-C12烷基、C5-C12环烷基或C6-C10芳基。 |
