发明名称 利用二次光罩形成电路图形之方法
摘要 本发明提供一种利用二次光罩形成电路图形之方法,包含一于X方向偏极光平面具有第一撷取电路图形之第一光罩,并且增加光栅图形以统一节距条件(unify thepitch condition)。然后,增加第一光栅图形以覆盖Y方向偏极光平面。接着,以反射光照射第一光罩,转移X方向偏极光平面的电路图形于晶片之光阻层上。接着,提供具有第一修剪图形之第二光罩,其中,第二光罩之修剪图形可移除于第一次曝光制程光阻层上之预定电路图形的第一光栅图形。
申请公布号 TW200717603 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW095117975 申请日期 2006.05.19
申请人 中华凸版电子股份有限公司 发明人 高妻诚
分类号 H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01);G03F1/00(2006.01);G06F17/50(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 陈达仁
主权项
地址 桃园县八德市和平路1127之3号