使用闸极崩溃现象之3.5电晶体非挥发记忆体晶胞3.5 TRANSISTOR NON-VOLATILE MEMORY CELL USING GATE BREAKDOWN PHENOMENA

摘要

本发明揭露一种可程式化记忆胞(memory cell)有效的形成于一具有行位元线(column bitlines)与列字语线(row wordlines)之记忆体阵列(memory array)中。该记忆胞包含一崩溃电晶体(breakdown transistor)具有闸极连接至一程式字语线(program wordline)；一写入电晶体(write transistor)自一感测节点串联至该崩溃电晶体。该写入电晶体之闸极连结至一写入字语线(write wordline)。再者，一第一感测电晶体(sense transistor)具有闸极，连结至该感测点。一第二感测电晶体串联至该第一感测电晶体，且具有闸极连结至一读取字语线(read wordline)。该第二感测电晶体有源极连结至行位元线。