具内建源/汲极之平面极薄绝缘层上半导体通道金氧半场效应电晶体

摘要

本发明揭示一种MOSFET结构，其包括一平面半导体基板、一闸极电介质及一闸极。一极薄(UT)绝缘层上半导体通道延伸至该基板顶表面下方一第一深度并自对准该闸极并在横向方向上与该闸极共同延伸。多个源极-汲极区域延伸至该顶表面下方较该第一深度为大之一第二深度，并自对准于该UT通道区域。一第一BOX区域跨该整个结构延伸，并在垂直方向上在该顶表面下方自该第二深度延伸至一第三深度。该UT通道区域下方之一第二BOX区域之一上部部分自对准于该闸极并在横向上与该闸极共同延伸，并自该第一深度垂直地延伸至该顶表面下方一第三深度，且其中该第三深度大于该第二深度。