| 摘要 |
本发明揭示一种半导体结构，其包括：一n型区域；一p型区域；以及一三族氮化物发光层，其位于该n型区域与该p型区域之间。该三族氮化物发光层具有大于3.19的晶格常数。此一半导体结构可成长于一包括一主体与一接合至该主体之种晶层的基板。于部分具体实施例中，一接合层会将该主体接合至该种晶层。该种晶层可比用以使该半导体结构之应变松弛的关键厚度薄，使得该半导体结构之应变系藉由该种晶层中所形成之错位，或藉由该种晶层与该接合层(介于该等二层之间的介面)之间的滑动而得以释放。于部分具体实施例中，该主体可藉由将该接合层蚀刻掉而与该半导体结构及种晶层分隔开来。 |
