半导体结构,记忆体阵列,电子系统及半导体结构形成方法

摘要

本发明包括具有沟槽隔离区域之半导体结构。该等沟槽隔离区域之沟槽可包括狭窄底部部分及在该等底部部分之上之上部宽阔部分。电绝缘材料可填充该等上部宽阔部分同时在该等狭窄底部部分内留下空隙。该等底部部分可具有大体上竖直之侧壁，且可在台阶处接合至该等上部部分，该等台阶自该等侧壁大体上垂直延伸。该等沟槽隔离区域可被并入一记忆体阵列中及／或可被并入一电子系统中。本发明亦包括形成半导体结构之方法。