发明名称 制备含有CF2O桥连之化合物类的方法PROCESS FOR THE PREPARATION OF COMPOUNDS HAVING A CF2O BRIDGE
摘要 本发明系关于一种制备在分子中至少含有一个-CF2-O-桥连之化合物类的方法,其中 a)在至少一种乙烯酮二硫缩酮之上加入一种酸, b)将生成的双(烷基硫)碳(carbenium)盐与至少一种具有至少一个羟基基团的化合物反应,而此反应系在硷的存在下进行, c)且接着,宜在原位,使用氟化剂与氧化剂将所生成的二硫原酸酯作氧化性氟去硫化反应以生成在分子中至少含有一个-CF2-O-桥连的化合物类。
申请公布号 TWI280236 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW090130241 申请日期 2001.12.06
申请人 麦克专利有限公司 发明人 皮尔奇司;安德司陶格贝克;亚力山卓翰恩
分类号 C07C43/225(2006.01);C07C49/753(2006.01);C07C49/467(2006.01);C07D321/10(2006.01);C07D409/08(2006.01);C07D339/08(2006.01) 主分类号 C07C43/225(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种制备双(烷基硫)碳盐之方法,该双(烷基硫) 碳盐系作为制备在分子中含有1或2个-CF2-O-桥连 之化合物类之中间产物,该方法包含将酸加入至乙 烯酮二硫缩酮中, 其中该乙烯酮二硫缩酮系如式Ⅱ 其中 R1与 R2系各自独立为带有1至25个碳原子的直链、分枝 或环状烷基,其中 R1与R2可相互地桥联以使 基团 为在环中带有4至8个碳原子的环烷基,及/或其中一 或多个H原子可经取代为卤素、-CN,另经取代或未 经取代的烷基及/或芳基基团,及/或其中一或多个 非相邻的-CH2-基团可各自独立经取代为-CO-、-O-CO- 、-CO-O-、-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-、-NH-或-N(CH3)-,及/ 或芳基,彼可为经卤素、直链、分枝及/或环状烷 基及/或芳基单取代或多重取代,该等基团可同样 地经取代,且其中一或多个CH基团可经N取代,其中 基团R1及R2之一可供选择地为H, R6及 R7系各自独立为带有1至12个碳原子成直链、分枝 或环状烷基,其中R6及R7可相互地桥联以使 基 团为4至8员环,及/或其中一或多个H原子可经取代 为卤素或另经取代或未取代的烷基及/或芳基,及/ 或其中一或多个非相邻的-CH2-基团可各自独立经 取代为-CO-、-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-、-NH-或-N(CH3)-, 及/或芳基,彼可为经卤素或直链、分枝及/或环状 烷基及/或芳基单取代或多重取代,且 其中该双(烷基硫)碳盐系如式Ⅲ 其中R1、R2、R6及R7系各自独立地具有上述所示基 团之一,且Y-为非配位或弱配位阴离子,其中Y-为卤 化物、四氟硼酸盐、六氟磷酸盐、高氯酸盐或烷 基或芳基羧酸盐或烷基或芳基磺酸盐阴离子,其中 在该烷基或芳基基团中的一个、数个或所有H原子 可经取代为氟或氯。 2.一种制备在分子中含有1或2个-CF2-O-桥连之化合 物类之方法,其中 将申请专利范围第1项之方法所制备的双(烷基硫) 碳盐在硷之存在下与具有1或2个羟基基团的化 合物反应, 及后随,宜在原位,使用氟化氢或脂肪族或芳香族 胺/氟化氢复合物作为氟化剂与释出卤相等物之 化合物作为氧化剂对所生成的二硫原酸酯实施氧 化性氟去硫化反应以生成在分子中含有1或2个-CF2- O-桥连的化合物类, 其中该含有1或2个羟基基团之化合物为式Ⅳ R3-OH( Ⅳ)之烷醇或芳醇,其中该烷基或芳基基团R3可视需 要地经取代,且 其中该二硫原酸酯系如式Ⅵ 其中 R1、R2、R6及R7系各自独立地具有上述所示基团之 一,且R3具有上述所示基团之一。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中加入乙烯酮二 硫缩酮中之酸为HY,其中Y-为非配位或弱配位阴离 子。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中Y-为卤化物、 四氟硼酸盐、六氟磷酸盐、高氯酸盐或烷基或芳 基羧酸盐或烷基或芳基磺酸盐阴离子,其中在烷基 或芳基基团中的一个、数个或所有H原子可取代为 氟或氯。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中该释出卤相 等物之化合物系选自一类群而该类群系由下列所 形成:二甲基二溴乙内醯、N-氯琥珀醯亚胺、N- 溴琥珀醯亚胺、N-碘琥珀醯亚胺、二溴异氰尿酸 、氯、溴、SO2Cl2、SO2ClF、亚销及销盐类、有机且 无机亚硝酸盐及氯胺-T。 6.如申请专利范围第2项之方法,其中该脂肪族或芳 香族胺/氟化氢复合物系选自一类群而该类群系由 下列所形成:啶/,三乙胺/,三聚氰胺/及聚乙烯基 啶/氟化氢错合物。 7.如申请专利范围第2项之方法,其中该含有1或2个 羟基基团之化合物系如式Ⅳ a 其中 Rc为H、卤素、-CN,-NCS,-SF5或带有1至18个碳原子的烷 基,此外,其中一或二个非相邻的-CH2-基团可取代为 -O-、-S-、-CO-、-O-CO-,-CO-O-、-E-及/或-C≡C-,及/或此 外,其中,一或更多的H原子可取代为卤素及/或-CN, E为CR4=CR5或CHR4-CHRS, R4与 R5系各自独立为H、带有1-6个碳原子的烷基、F,Cl、 Br、CF3或CN, Z3为-O-CO-、-CO-O-、-C2H4-、-CH2-CF2-、-CF2-CH2-、-CF2-CF2 -、-CH2-O-、-CF2-O-、-O-CH2-、-O-CF2-、-CH=CH-、-CF=CH-、 -CH=CF-、-CF=CF-、-C≡C-或单键, A3为1,4-伸苯基,其中一或更多CH基团可取代为N、1,4 -伸环己基而其中一或二个非相邻的CH2基团可取代 为O及/或S、1,4-伸环己基、1,4-双环[2.2.2]伸辛基、 五氢啶-1,4-二基、-2,6-二基、十氢素-2,6-二基 或1,2,3,4-四氢素-2,6-二基而其中在此类基团中一或 更多的H原子可取代为卤素、-CN及/或带有1至6个碳 原子的烷基而其中一个或更多H原子可取代为卤素 或-CN、及/或在其中一或更多非相邻的-CH2-基团可 各自独立地取代为-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-、-S-、-CH =CH-、-C≡C-、-NH-或-N(CH3)-,及 r为0、1或2, 其限制条件为,当其中r=0,Rc具有烷基指定的意义, 但其中在1-位置上的碳原子未被杂原子取代。 8.如申请专利范围第2项之方法,其中该含有1或2个 羟基基团之化合物具有2个羟基基团。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该含有2个羟 基基团之化合物系如式Ⅳ d 其中 A3具有在申请专利范围第7项中指出的意义之一, A4具有A3指出的意义之一,及 Z4具有在申请专利范围第7项中Z3指出的意义之一, 及 t为0、1或2。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该乙烯酮二 硫缩酮系得自羰基化合物。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该碳基化合 物系如式Ⅰ 其中R1及R2系各自独立地具有申请专利范围第1项 中指出的意义之一。 12.如申请专利范围第10项之方法,其中该羰基化合 物系如式Ⅰ a 其中 Ra为H、卤素、-CN或带有1至18个碳原子的烷基,此外 ,其中一或二个非相邻的-CH2-基团可取代为-O-、-S- 、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-E-及/或-C≡C-,及/或此外,其 中一或更多的H原子可取代为卤素及/或CN, E为CR4=CR5或CHR4-CHR5, R4与 R5系各自独立为H、带有1-6个碳原子的烷基、F、Cl 、Br、CF3或CN,及 Z1为-O-CO-、-CO-O-、-C2H4-、-CH2-CF2-、-CF2-CH2-、-CF2-CF2 -、-CH2-O-、-CF2-O-、-O-CH2-、-O-CF2-、-CH=CH-、-CF=CH-、 -CH=CF-、-CF=CF-、-C-C-或单键,及 A1为1,4-伸苯基,其中一或更多CH基团可取代为N、1,4 -伸环己基而其中一或二个非相邻的CH2基团可取代 为O及/或S,1,4-伸环己基,1,4-双环[2.2.2]伸辛基,五氢 啶-1,4-二基,-2,6-二基,十氢-2,6-二基或1,2,3,4- 四氢-2,6-二基而其中在此类基团中一或更多的H 原子可取代为卤素、-CN及/或带有1至6个碳原子的 烷基而其中一或更多H原子可取代为卤素或-CN,及/ 或其中一或更多非相邻的-CH2-基团可各自独立取 代为-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-、- NH-或-N(CH3)-,及 p为0、1或2。 13.如申请专利范围第10项之方法,其中该羰基化合 物具有二或多个羰基基团。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该具有二或 多个羰基基团的羰基化合物为式Ⅰ b的环己烷二 酮 或式Ⅰ c之化合物 其中 Z1与 Z2各自独立具有申请专利范围第12项中Z1指出的意 义之一, A2具有申请专利范围第12项中A1指出的意义之一,及 v为0、1或2。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中该羰基化合 物的一或多个羰基基团,在转化为对应的乙烯酮二 硫缩酮之前,系经保护为缩酮,留下至少一个羰基 基团呈未保护以用于转化为乙烯酮二硫缩酮。 16.如申请专利范围第10项之方法,其中该乙烯酮二 硫缩酮系得自该羰基化合物,且经由与经取代或未 取代的2-矽烷基-1,3-二烷反应。 17.一种式Ⅱ a的乙烯酮二硫缩酮 及/或对应的式Ⅲ a双(烷基硫)碳盐 其中 Ra为H、卤素、-CN或带有1至18个碳原子的烷基,此外 ,其中一或二个非相邻的-CH2-基团可取代为-O-、-S- 、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-E-及/或-C≡C-,及/或此外,其 中一或更多H原子可取代为卤素及/或CN, E为CR4=CR5或CHR4-CHR5, R4与 R5系各自独立为H、带有1-6个碳原子的烷基、F、Cl 、Br、CF3或CN,及 Z1为-O-CO-、-CO-O-、-C2H4-、-CH2-CF2-、-CF2-CH2-、-CF2-CF2 -、-CH2-O-、-CF2-O-、-O-CH2-、-O-CF2-、-CH=CH-、-CF=CH-、 -CH=CF-、-CF=CF-、-C≡C-或单键, A1为1,4-伸苯基,其中一或更多CH基团可取代为N、1,4 -伸环己基而其中一或二个非相邻的CH2基团可取代 为O及/或S、1,4-伸环己基、1,4-双环[2.2.2]伸辛基、 五氢啶-1,4-二基、-2,6-二基、十氢-2,6-二基 或1,2,3,4-四氢-2,6-二基而其中在此类基团中一或 更多的H原子可取代为卤素、-CN及/或带有1至6个碳 原子的烷基而其中一或更多H原子可取代为卤素或 -CN,及/或其中一或更多非相邻的-CH2-基团可各自独 立地取代为-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-、-S-、-CH=CH-、-C ≡C-、-NH-或-N(CH3)-、 p为0、1或2,及 R6与 R7系各自独立为具有1至12个碳原子之直链或支链 烷基或具有4至7个碳原子之环状烷基,其中R6及R7可 相互地桥联以使 基团为4至8 员环,及/或其中一或多个H原子可取代为卤素或另 一经取代或未经取代的C1-12烷基及/或苯基,及/或 其中一或多个非相邻的-CH2-基团可各自独立取代 为-CO-、-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-、-NH-或-N(CH3)-,及/ 或苯基,彼可为经单取代或经多重取代以卤素或直 链或支链C1-12烷基或环状C4-7烷基及/或苯基、及 Y-为非配位或弱配位阴离子。 18.一种式Ⅱ b1的乙烯酮二硫缩酮 及/或式Ⅲ b1的对应的双(烷基硫)碳盐 其中 R8、R9、R10及R11系各自独立为H或经取代或未取代 的带有1至6个碳原子的烷基或烯基基团,其中在各 个情况中一或两个下述基团 可形成环烷基或芳基基团、及 m1与 m2为2,3或4,及 Y-为非配位或弱配位阴离子。 19.一种式Ⅴ b之化合物 及/或对应的式Ⅴ b1之缩酮 其中 R8、R9及m1具有在申请专利范围第18项中指出的对 应的意义之一,及 Rc为H、卤素、-CN、-NCS、-SF5或带有1至18个碳原子 的烷基,此外,其中一或二个非相邻的-CH2-基团可取 代为-O-、-S-、-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-E-及/或-C≡C-,及 /或此外,其中一或更多H原子可取代为卤素及/或-CN , E为CR4=CR5或CHR4-CHR5, R4与 R5系各自独立为H、带有1-6个碳原子的烷基、F、Cl 、Br、CF3或CN,及 Z3为-O-CO-、-CO-O-、-C2H4-、-CH2-CF2-、-CF2-CH2-、-CF2-CF2 -、-CH2-O-、-CF2-O-、-O-CH2-、-O-CF2-、-CH=CH-、-CF=CH-、 -CH=CF-、-CF=CF-、-C≡C-或单键,及 A3为1,4-伸苯基,其中一或更多CH基团可取代为N、1,4 -伸环己基而其中一或二个非相邻的CH2基团可取代 为O及/或S、1,4-伸环己基、1,4-双环[2.2.2]伸辛基、 五氢啶-1,4-二基、-2,6-二基、十氢-2,6-二基 或1,2,3,4-四氢-2,6-二基,其中在此类基团中的一 或更多个H原子可经取代以卤素、-CN及/或带有1至6 个碳原子的烷基而其中一或更多H原子可取代为卤 素或-CN、及/或在其一或更多非相邻的-CH2-基团可 各自独立地取代为-CO-、-O-CO-、-CO-O-、-O-、-S-、-CH =CH-、-C≡C-、-NH-或-N(CH3)-,及 r为0、1或2, 其限制条件为,当其中r=0,Rc具有烷基指出的意义, 但其中在1-位置上的碳原子未经取代以杂原子。 20.一种式Ⅱb 2的乙烯酮二硫缩酮 及/或对应的式Ⅲ b2之双(烷基硫)碳盐 其中 R8、R9、R10、R11、m1及m2各自具有对应的在申请专 利范围第18项中指出的意义之一,及 Y-为非配位或弱配位阴离子。 21.一种式Ⅱ c1的乙烯酮二硫缩酮 及/或对应的式Ⅲ c1的双(烷基硫)碳盐 其中 R8、R9、R10、R11,m1及m2具有对应的在申请专利范围 第18项中指出的意义之一, Z1具有对应的在申请专利范围第17项中指出的意义 之一,及 A2与Z2具有在申请专利范围第17项中分别地指出的 对应于A1及Z1的意义之一, v为0、1或2,及 Y-为非配位或弱配位阴离子。 22.一种式Ⅴ c之化合物 及/或对应的式Ⅴ c1之缩酮 其中 R8、R9、m1、Z1、A2、Z2及v具有对应的在申请专利范 围第21项中指出的意义之一,及 A3、Z3、r及Rc各自具有对应的在申请专利范围第19 项中指出的意义之一。 23.一种式Ⅱ c2之乙烯酮二硫缩酮 及对应的式Ⅲ c2之双(烷基硫)碳盐 其中 R8、R9、R10、R11、m1、m2、Z1、A2、Z2及v具有对应的 在申请专利范围第21项中指出的意义之一,及 Y-为非配位或弱配位阴离子。 24.一种式Ⅰ c.1的二酮 及/或对应的式Ⅰ c1.1之缩酮 其中 R8、R9及m1具有对应的在申请专利范围第19项中指 出的意义之一。
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