| 主权项 |
1.一种去光阻液之管理方法,该去光阻液系位于一 反应室内,该方法至少包括: 提供一基材,该基材上形成有一光阻区; 计算该光阻区之一光阻量; 执行一剥除步骤,利用该去光阻液剥除该光阻区; 统计该去光阻液所溶入之一光阻量和;以及 当该光阻量和小于一预设値时,则回到该提供基材 之步骤并提供具有另一光阻区之另一基材,反之, 则进行一换液步骤。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中计算该光 阻区之该光阻量之步骤包括: 定义一基础光阻値为一基数; 取得该光阻区之一厚度; 取得该光阻区之一面积; 将该厚度与该面积相乘而获得一实际光阻値;以及 将该实际光阻値除以该基础光阻値,即获得该光阻 量。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中统计该去 光阻液所溶入之该光阻量和之方法系使用一紫外 线侦测法。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该预设値 约等于该去光阻液所能溶入之一最大光阻値相对 于该基础光阻値之该基数的一数値。 5.一种去光阻液之管理装置,用以在一第一去光阻 液达到一预设浓度时替换该第一去光阻液,该管理 装置至少包括: 一分类装置,包括对应于复数个基材之复数个配方 ,且该些配方系分别对应于该些基材之复数个光阻 区所含之复数个光阻量,而该分类装置则依据该些 基材所含之该些光阻量予以分类;以及 一计数装置,用以累加该些基材之该些光阻量。 6.如申请专利范围第5项所述之管理装置,其中该计 数装置所累加之该些基材之该些光阻量约等于该 预设浓度时,以一第二去光阻液替换该第一去光阻 液。 7.如申请专利范围第6项所述之管理装置,其中该预 设浓度约等于该去光阻液之一饱和浓度。 8.一种去光阻液之管理方法,其特征在于一反应室 中利用该去光阻液剥除复数个基材之复数个光阻 区时,以该去光阻液所能溶入之一最大光阻値为该 反应室之一换液时机, 其中,利用该去光阻液剥除该些基材之该些光阻区 前,更包括进行一计算步骤,藉以获得该些基材之 复数个实际光阻値,且该计算步骤包括: 从该些实际光阻値中选出一基础光阻値; 将该基础光阻値定为一基数;以及 计算其余该些实际光阻値对应于该基础光阻値之 复数个光阻量。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中当该些实 际光阻値之和约等于该最大光阻値时,计算该最大 光阻値对应之一数値。 10.一种去光阻液之管理方法,该方法至少包括: 提供一第一基材,该第一基材上具有一第一光阻量 之光阻区; 利用该去光阻液去除该光阻区; 计算该去光阻液中之一总光阻量,其中当该总光阻 量小于一预设値时,则提供具有一第二光阻量之光 阻区之一第二基材以进行一去光阻步骤;以及 替换该去光阻液。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第一 光阻量为一基础光阻値之一第一倍数。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二 光阻量为该基础光阻値之一第二倍数。 13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该预设 値约等于该去光阻液所能溶入之一最大光阻値相 对于该基础光阻値之该基数的一数値。 图式简单说明: 第1图为绘示湿式去光阻反应室之装置示意图; 第2图为绘示习知去光阻液之管理方法的流程图; 第3图为绘示另一习知去光阻液之管理方法的流程 图; 第4图为绘示本发明之一较佳实施例之去光阻液的 管理装置的示意图; 第5图为绘示本发明之一较佳实施例之去光阻液的 管理方法的流程图;以及 第6图为绘示本发明之一较佳实施例之较佳换液时 机的管理方法的流程图。 |
