| 主权项 |
1.一种氧氮化物系萤光体,系由M的一部分经Eu取代 之以一般式2MOSi3N4表示之物所形成(但是,M系由Be 、Mg、Ca、Sr及Ba中选出的一种或二种以上之元素) 。 2.如申请专利范围第1项之氧氮化物系萤光体,其中 Eu/M之元素比系为0.01~50at%。 3.如申请专利范围第1项之氧氮化物系萤光体,其中 平均粒径系为50m以下。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之氧氮化物系 萤光体,其中二价铕的比例系为50%以上。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之氧氮化物系 萤光体,其中二价铕的比例系为80%以上。 6.一种如申请专利范围第1至5项中任一项之氧氮化 物系萤光体之制法,其特征为:其系将Be、Mg、Ca、Sr 、Ba及Eu之氧化物或利用加热形成氧化物之Be、Mg 、Ca、Sr、Ba及Eu之化合物、及氮化矽或利用加热 形成氮化矽的化合物加以混合,在真空或非氧化性 氛围气体中以1200~1900℃烧成。 7.如申请专利范围第6项之氧氮化物系萤光体之制 法,其系在碳或含碳之化合物的共存下,于真空或 非氧化性氛围气体中以1200~1900℃进行烧成。 8.一种如申请专利范围第1至5项中任一项之氧氮化 物系萤光体之制法,其特征为:其系将Be、Mg、Ca、Sr 、Ba及Eu之氧化物或利用加热形成氧化物之Be、Mg 、Ca、Sr、Ba及Eu之化合物、氮化矽或利用加热形 成氮化矽的化合物、及最终合成物的氧氮化物系 萤光体之种子加以混合,在真空或非氧化性氛围气 体中以1200~1900℃加以烧成。 9.如申请专利范围第8项之氧氮化物系萤光体之制 法,其系在碳或含碳之化合物的共存下,于真空或 非氧化性氛围气体中以1200~1900℃进行烧成。 10.如申请专利范围第1至3项中任一项之氧氮化物 系萤光体,其系用于发光装置。 11.如申请专利范围第10项之氧氮化物系萤光体,其 系与250nm~500nm之波长区域发光之半导体发光元件 组合使用。 图式简单说明: 第1图是显示本发明之发光体在藉由使用发光二极 体而激发时之发光波长和发光强度的曲线图。 |
