绝缘层之平坦化方法

摘要

一种绝缘层之平坦化方法。在此方法中，首先，提供基材。形成垫氧化层于基材上，接着，形成氮化矽(Si3N4)层于垫氧化层上。然后，形成多个浅沟渠(shallowtrench)于基材中，再以高密度电浆化学气相沈积法(HighDensity Plasma Chemical Vapor Deposition，HDP CVD)形成绝缘层于基材之上，绝缘层系覆盖之氮化矽层，并填满浅沟渠。之后，形成覆盖层于绝缘层之表面。再以化学机械研磨法(Chemical Mechanical Polishing，CMP)平坦化绝缘层之表面。本发明之形成一覆盖层于该绝缘层表面的设计，可以改善后续之化学机械研磨机台对于绝缘层的过度研磨现象。

主权项

1.一种绝缘层之平坦化方法,包括: 提供一基材; 形成一垫氧化层于该基材上; 形成一氮化矽(Si3N4)层于该垫氧化层上; 形成复数个浅沟渠(shallow trench)于该基材中; 以一高密度电浆化学气相沈积法(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition,HDPCVD)形成一绝缘层于该基材 之上,该绝缘层系覆盖该氮化矽层,并填满该些浅 沟渠; 形成一覆盖层于该绝缘层之表面,该覆盖层之硬度 大于该绝缘层之硬度;以及 以一化学机械研磨法(Chemical Mechanical Polishing,CMP) 平坦化该绝缘层之表面。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该覆盖层 系一高矽氧化物(silicon-rich oxide,SRO)层。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该覆盖层 系使用包括矽甲烷(silane,SiH4)、氧化亚氮(nitrous oxygen,N2O)与氦(helium,He),以高密度电浆化学气相沈 积法形成该覆盖层于该绝缘层上。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于以一化 学机械研磨法平坦化该绝缘层之表面的该步骤中 更包括: 注入一研磨液。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该研磨液 包括二氧化铈(Cerium dioxide,CeO2)。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该垫氧化 层与该绝缘层系二氧化矽(SiO2)层。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材系 一晶圆。 8.一种绝缘层之平坦化方法,至少包括: 提供一晶圆; 形成一二氧化矽层于该晶圆上; 形成一氮化矽(Si3N4)层于该二氧化矽上; 形成复数个浅沟渠(shallow trench)于该晶圆中; 以一高密度电浆化学气相沈积法形成一绝缘层于 该晶圆之上,该绝缘层系覆盖该氮化矽层,并填满 该些浅沟渠; 形成一高矽氧化物(silicon-rich oxide,SRO)层于该绝缘 层之表面;以及 以一化学机械研磨法平坦化该绝缘层之表面。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中于以一化 学机械研磨法平坦化该绝缘层之表面的该步骤中 更包括: 注入一研磨液。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该研磨 液包括二氧化铈(Cerium dioxide,CeO2)。 11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该高矽 氧化物(silicon-rich oxide,SRO)层系使用包括矽甲烷( silane,SiH4)、氧化亚氮(nitrous oxygen,N2O)与氦(helium,He) ,以高密度电浆化学气相沈积法形成该覆盖层于该 绝缘层上。 12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘 层系二氧化矽(SiO2)层。 图式简单说明: 第1A~1E图绘示乃传统之半导体制程中之绝缘层之 平坦化方法的流程剖面图。 第2图绘示乃依照本发明之较佳实施例之绝缘层的 平坦化方法的流程图。 第3A~3F图绘示乃依照本发明之较佳实施例之绝缘 层的平坦化方法的流程剖面图。