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发明名称
半导体积体电路装置的制造方法
摘要
本发明提供一种半导体积体电路装置的制造方法,可解决因受光部上部结构层产生的膜厚差,使开口部底面不平坦而产生受光部面内入射光不均匀的问题。利用金属镶嵌法、或藉由CMP对形成第一金属层之后所层叠的绝缘膜进行研磨,从而在第一金属层间形成平坦的层。由此,使层叠在受光部上的绝缘膜也平坦地形成。因此,在藉由蚀刻对受光部内部进行开口的情况下,可使开口部底面平坦地形成。
申请公布号
TW200818305
申请公布日期
2008.04.16
申请号
TW096125970
申请日期
2007.07.17
申请人
三洋电机股份有限公司;三洋半导体股份有限公司
发明人
野村洋治
分类号
H01L21/306(2006.01);H01L31/00(2006.01)
主分类号
H01L21/306(2006.01)
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
日本
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