| 摘要 |
<p>Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке активных элементов лазеров на парах галогенидов металлов, например, бромида меди. Изобретение позволяет повысить мощность лазерной генерации без повышения мощности блока высокого напряжения (БВН), т.е. возможность использования маломощных БВН для накачки трубок больших размеров. Сущность изобретения: активный элемент лазера на парах галогенида металла содержит вакуумно-плотную оболочку с выходными окнами на ее торцах, по меньшей мере, два электрода на ее концах, рабочий канал, контейнеры с рабочим веществом, например бромидом меди, расположенные периодично по всей длине рабочего канала, средства нагрева контейнеров со средствами контроля температуры их нагрева, и тепловую камеру, охватывающую рабочий канал без контейнеров с рабочим веществом, в которой расположен нагревательный элемент со средствами контроля температуры рабочего канала, при этом тепловая камера представляет собой прямоугольный металлический кожух со слоем теплоизоляции, по периметру дна которого расположен нагревательный элемент, например, нихромовая спираль и имеет крышку сверху, выемки с боков для трубки, и отверстия в дне для контейнеров с бромидом меди. Кроме того, активный элемент содержит блок управления средствами нагрева рабочего канала, контейнеров с рабочим веществом и емкости с адсорбентом, насыщенным галогеноводородом.</p> |
