摘要 |
<p>Полезная модель относится к области нанотехнологии, а более конкретно к устройствам флэш-памяти. В основу полезной модели положена задача, состоящая в том, чтобы снизить габаритные размеры и увеличить размер памяти при реализации матрицы с элементами логической памяти на наноразмерном уровне. Эта задача решается тем, что в устройстве флэш-памяти, содержащем матрицу с закрепленным на ней элементами логической памяти типа 0-1, преобразователь магнитных сигналов, тактовый генератор, связанный с элементами логической памяти и преобразователем электромагнитных сигналов, согласно предложенной полезной модели, элементы логической памяти выполнены в виде квантовых точек с изомерными ядрами, а преобразователь электромагнитных сигналов выполнен в виде передатчика-приемника гамма-квантов и приемника Оже-электронов. Применение предложенного устройства флэш-памяти позволяет снизить габаритные размеры и увеличить размер памяти при реализации матрицы с элементами логической памяти на наноразмерном уровне.</p> |