发明名称 Phasenwechselspeicherbauelement
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Phasenwechselspeicherbauelement mit einem Speicherfeld (410), das eine Mehrzahl von Phasenwechselspeicherzellen (10), eine Mehrzahl von Bitleitungen (BL) und eine Mehrzahl von Wortleitungen (WL) aufweist, wobei jede Phasenwechselspeicherzelle ein Phasenwechselelement (11) und eine Diode (D) aufweist, die in Reihe zwischen einer der Bitleitungen und einer der Wortleitungen eingeschleift sind. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist eine Spannungsversorgungsschaltung (PUMPW, PUMPC, PUMPR) vorgesehen, die wenigstens eine Wortleitungssteuerspannung oder Wortleitungstreiberspannung (VPP1, VPP2) und eine Spaltenauswahlsteuerspannung oder Spaltenauswahltreiberspannung (VPP3, VPP4) variabel in Reaktion auf einen Betriebsmodus des Phasenwechselspeicherbauelements bereitstellt, so dass das Phasenwechselspeicherbauelement angepasst ist, die Wortleitungen und die Bitleitungen während eines Bereitschaftsmodus unter Verwendung der Wortleitungssteuerspannung oder Wortleitungstreiberspannung und der Spaltenauswahlsteuerspannung oder Spaltenauswahltreiberspannung auf der gleichen Spannung zu halten. DOLLAR A Verwendung z.B. für Phasenwechselspeicherbauelemente mit direktem Zugriff.
申请公布号 DE102006042621(A1) 申请公布日期 2007.04.26
申请号 DE200610042621 申请日期 2006.09.04
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 CHO, WOO-YEONG;KIM, DU-EUNG;LEE, KWANG-JIN;KWAK, CHOONG-KEUN
分类号 G11C11/34;H01L27/24 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人
主权项
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