| 摘要 |
1. Способ формирования пленок фотонных кристаллов (ФК) на подложках, расположенных вертикально в суспензии, содержащей монодисперсные микросферы коллоидных частиц, отличающийся тем, что в качестве монодисперсных микросфер используют коллоидные частицы из полистирола, полиметилметакрилата или SiO2, осаждают их из суспензии на проводящие подложки при повышенной температуре и одновременном подведении к подложкам контролируемой разности потенциалов с помощью потенциостата. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве проводящих подложек используют ITO (indium tin oxid), стекло с напыленной пленкой золота и др. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при разности потенциалов 1В, что способствует более равномерному осаждению микросфер на поверхности электрода. |
