发明名称 PHOTODIODE CHIP HAVING A HIGH LIMIT FREQUENCY
摘要 <p>Die Erfindung betrifft einen Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz mit einem Leitungsübergang vom aktiven Photodiodenbereich eines Photodioden-Mesas zum Ausgangs-Pad des Hochfrequenzausgangs des Photodioden-Chips. Es bestand Bedarf, beim Bandbreitefaktor von Photodioden-Chips nach weiteren Steigerungen zu suchen. Vorgeschlagen wird hierzu, dass die Verbindung vom Photodioden-Mesa zum Ausgangs-Pad mit einer hochohmigen Leitung mit über deren Länge verteilter Impedanz (Z<SUB>leitung</SUB>) realisiert ist, die mindestens so hoch ist wie die am Ausgangs-Pad wirksame Lastimpedanz (Z<SUB>last</SUB>)</p>
申请公布号 WO2007045232(A2) 申请公布日期 2007.04.26
申请号 WO2006DE01866 申请日期 2006.10.18
申请人 FRAUNHOFER-GESELLCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;BACH, HEINZ-GUNTER;BELING, ANDREAS 发明人 BACH, HEINZ-GUNTER;BELING, ANDREAS
分类号 H01L31/101;H01L23/66;H01L31/105 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人
主权项
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