发明名称 |
PHOTODIODE CHIP HAVING A HIGH LIMIT FREQUENCY |
摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz mit einem Leitungsübergang vom aktiven Photodiodenbereich eines Photodioden-Mesas zum Ausgangs-Pad des Hochfrequenzausgangs des Photodioden-Chips. Es bestand Bedarf, beim Bandbreitefaktor von Photodioden-Chips nach weiteren Steigerungen zu suchen. Vorgeschlagen wird hierzu, dass die Verbindung vom Photodioden-Mesa zum Ausgangs-Pad mit einer hochohmigen Leitung mit über deren Länge verteilter Impedanz (Z<SUB>leitung</SUB>) realisiert ist, die mindestens so hoch ist wie die am Ausgangs-Pad wirksame Lastimpedanz (Z<SUB>last</SUB>)</p> |
申请公布号 |
WO2007045232(A2) |
申请公布日期 |
2007.04.26 |
申请号 |
WO2006DE01866 |
申请日期 |
2006.10.18 |
申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;BACH, HEINZ-GUNTER;BELING, ANDREAS |
发明人 |
BACH, HEINZ-GUNTER;BELING, ANDREAS |
分类号 |
H01L31/101;H01L23/66;H01L31/105 |
主分类号 |
H01L31/101 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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