发明名称 足尺磁流变液(MR)阻尼器磁滞效应调整的方法
摘要 本发明是针对足尺磁流变(MR)阻尼器磁滞效应调节提出了两种方法,包括电流调节方法和神经网络预测方法。通过本发明的实现可以调节足尺MR阻尼器磁滞效应,从而减小或者消除磁滞效应对控制效果的影响,以保证足尺MR阻尼器对大型工程结构进行振动控制时不会发散,具有稳定的控制效果。电流调节方法的特点是:电流改变直接,控制过程稳定,实现起来比较简单,对电流改变频率不高的情况具有较好的控制效果。神经网络预测方法的特点是:控制过程较精确,适用范围广,特别适用于高度非线性的控制过程;预测时间可以随着磁滞时间的大小而变化,能够较好地消除磁滞效应的影响。
申请公布号 CN1952429A 申请公布日期 2007.04.25
申请号 CN200510019614.5 申请日期 2005.10.17
申请人 武汉理工大学 发明人 瞿伟廉;涂建维;程海斌;周强
分类号 F16F9/53(2006.01) 主分类号 F16F9/53(2006.01)
代理机构 武汉开元专利代理有限责任公司 代理人 潘杰
主权项 1、一种足尺磁流变液(MR)阻尼器磁滞效应调整的方法,基本方法是:当所需磁感应强度不大时,则控制电流使得磁路材料的磁化曲线不超过急剧磁化阶段,此时就不存在磁滞效应,当所需磁感应强度较大时,如果要增加MR阻尼器的控制力就让实际的控制电流超过理论需要的控制电流,从而缩短MR阻尼器达到所需控制力的磁滞时间;反之,就施加反向电流,缩短磁路材料的退磁时间,从而也缩短了MR阻尼器达到所需控制力的磁滞时间。该方法由磁化数据库、开关控制策略、电流分档装置和电流放大器四部分组成。
地址 430070湖北省武汉市武昌珞狮路122号
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