| 发明名称 | 集成电路屏蔽系统 | ||
| 摘要 | 一种将附加层添加到集成电路的方法，该方法包括提供一种具有互联层的集成电路，在集成电路的基本上所有暴露表面的上方沉积附加材料层，此附加材料层的导电性可以改变，且通过对此附加层的第一部分进行选择性退火实现其导电性的选择性改变，这样能在此附加层中生成一个子电路，该子电路可与集成电路进行电通讯。本发明还描述了相应的装置和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1954426A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200580015946.4 | 申请日期 | 2005.05.04 |
| 申请人 | NDS有限公司 | 发明人 | 约翰·佛莱蒙·沃克 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/118(2006.01) | 主分类号 | H01L23/58(2006.01) |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郑小粤;胡杰 |
| 主权项 | 1.一种将附加层添加到集成电路中的方法，该方法包括：提供具有互联层的集成电路；在所述集成电路的基本上所有暴露的表面的上方沉积导电性可以改变的附加材料层；并且通过选择性退火实现对所述附加层的第一部分的导电性进行选择性改变，从而在所述附加层中生成子电路，所述子电路和所述集成电路可进行电通讯。 | ||
| 地址 | 英国米德尔塞克斯郡 | ||