有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物

摘要

本发明提供有机二氧化硅系膜的形成方法、该方法中所使用的膜形成用组合物、通过该方法得到的有机二氧化硅系膜、包含该有机二氧化硅系膜的布线结构体以及包含该布线结构体的半导体装置。所述有机二氧化硅系膜的形成方法能够以更低的电子束照射量、更短时间、更低温度高效地使涂膜硬化，而且能够形成可适合于作为比如半导体元件等中的层间绝缘膜使用的、相对介电常数小、机械强度及粘合性优异、而且等离子体耐受性和耐药液性均优异的膜。本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有－Si－O－Si－结构和－Si－CH₂－Si－结构的硅化合物的涂膜的工序、加热所述涂膜的工序和对所述涂膜照射电子束来进行硬化处理的工序。

主权项

1、有机二氧化硅系膜的形成方法，其特征在于，包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂膜的工序、加热所述涂膜的工序和对所述涂膜照射电子束来进行硬化处理的工序。