外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及外延生长用硅晶片，将通过柴克劳斯基法(CZochralski method-CZ法)掺杂氮，在至少晶片中心成为会发生空隙型缺陷的V区域的区域内培育的硅单晶加以切削，而制作成的硅晶片，其特征是在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，开口部尺寸是20nm以下的缺陷数目是0.02个/cm²以下的外延生长用硅晶片，及特征是在此外延生长用硅晶片的表面形成有外延层的外延晶片。由此，能够容易地以高生产性且低成本制成具有高吸杂能力、且在外延层上极少有对器件特性有不良影响的SF的高品质的外延晶片。

主权项

1、一种外延生长用硅晶片，其特征为，该硅晶片，将通过柴克劳斯基法掺杂了氮、并在至少晶片中心成为发生空隙型缺陷的V区域的区域内培育的硅单晶加以切削而制作成，在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，开口部尺寸是20nm以下的缺陷数目是0.02个/cm2 以下。