直接计算金氧半场效晶体管界面缺陷量的方法

摘要

一种直接计算金氧半场效晶体管界面缺陷量的方法，主要步骤：(1)建构一个适合低漏电的测量区间，找出一个可以适合栅极脉冲(gate pulse)偏压(V_g1及V_gh)的给定区间；(2)以低漏电流CP法去除寄生的隧穿漏电流，可选用高低频CP测量方法、或增频CP测量方法；本发明利用低漏电流CP法，去除该测量中产生的大量寄生漏电流，而可准确的应用于计算栅极氧化层界面缺陷以及有效评测栅极氧化层成长品质/氧化层工艺；实验数据显示，只要是与栅极氧化层界面缺陷有关系的分析，诸如栅极界面缺陷的产生、栅极氧化层薄膜品质监测、以及超小型CMOS元件可靠性的评测等，本发明都可快速简单的计算出界面缺陷(N_it)数量，并可以获得令人满意的结果。

主权项

1.一种用于计算MOSFET元件栅极氧化层中界面缺陷数量的测量方法，该MOSFET元件包含有一源极、一漏极、一基极以及一栅极，该栅极氧化层位于该栅极的下方，其特征是：该测量方法包含有：(1)将该MOSFET元件三端即源极、漏极、基极接地，栅极给定脉冲，该脉冲的最低点电位Vgl固定，而逐渐增加所述脉冲的最高点电位Vgh；及(2)进行高低频电荷泵法，移除电荷泵测量漏电流：分别量取高频电荷泵曲线及低频电荷泵曲线，将所述高频电荷泵曲线减去所述低频电荷泵曲线，得出低漏电流的高频电荷泵电流曲线。