同质复合栅场效应晶体管

摘要

同质复合栅场效应晶体管，由栅端、源端、漏端和衬底构成场效应晶体管本体，在栅端与衬底之间为绝缘层，沟道形成在源端与漏端之间衬底上，源端在沟道左端延伸为浅源延伸区，漏端在沟道右端延伸为浅漏延伸区；其特征是栅端设置为同质复合栅，多晶硅栅，多晶硅栅的左右两部分分设为不同的导电类型，朝向源端的栅左部为P型多晶硅栅，朝向漏端的栅右部为N型多晶硅栅。本发明既可以得到很高的射频MOSFET驱动电流、跨导和截止频率，同时器件漏漂移区末端的最大场强、热电子效应和短沟道效应又可以得到很大的缓解。

主权项

1、一种同质复合栅场效应晶体管，由栅端、源端(1)、漏端(2)和衬底(3)构成的场效应晶体管本体，所述源端(1)和漏端(2)分设于衬底(3)的左右两端，所述栅端位于源端(1)和漏端(2)之间的衬底(3)的上方，在栅端与衬底(3)之间为绝缘层(4)，沟道(7)形成在源端(1)与漏端(2)之间的衬底(3)上，所述源端(1)在沟道的左端延伸为浅源延伸区(8)，所述漏端(2)在沟道的右端延伸为浅漏延伸区(9)；其特征是所述栅端设置为同质复合栅，所述同质复合栅为多晶硅栅，多晶硅栅的左右两部分分设为不同的导电类型，包括，朝向源端(1)的栅左部为P型多晶硅栅(5)，朝向漏端(2)的栅右部为N型多晶硅栅(6)，P型多晶硅栅(5)与N型多晶硅栅(6)相接处形成分界面(10)。