| 发明名称 | 氮化物只读存储器记忆胞元配置制造方法 | ||
| 摘要 | 在此方法中，沟渠(9)乃被蚀刻，且在其间的位线(8)被分别配置于掺杂之源极/漏极区域上。掺杂物被引入该等沟渠(9)底部以形成掺杂区域(23)，进以对信道区域进行电性修饰；储存层乃被涂布而栅极电极(2)乃被配置于沟渠壁。在该等沟渠(9)底部之半导体材料乃从该等字符线(18/19)之间被蚀刻至一范围，使得该等掺杂区域(23)乃于该处被蚀刻至一广大范围，进以降低沿着该等沟渠之邻近记忆胞元之间的一串音干扰。 | ||
| 申请公布号 | CN1312761C | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN03814014.4 | 申请日期 | 2003.06.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | J·德佩;C·克莱恩特;C·鲁德维格 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于制造一NROM记忆胞元数组的方法，其中：实施一掺杂植入于一半导体本体(1)的一顶侧，以形成源极/漏极区域(3，4)；将彼此平行且分开排列的沟渠(9)蚀刻至半导体材料；而分别与所述沟渠(9)平行的一位线(8)是配置在位于该半导体本体(1)的顶侧的所述沟渠之间，该位线电传导连接至存在于相关沟渠之间的源极/漏极区域(3，4)且其顶侧覆盖有作为电绝缘的一覆盖层(16/17)；分别实施一掺杂植入至所述沟渠(9)底部的半导体材料以形成一掺杂区域(23)，其调整了在该处的信道区域的电性性质；涂布一储存层(5，6，7)于至少所述沟渠(9)的沟渠壁；栅极电极(2)是配置在各沟渠中，且所述栅极电极(2)电传导连接至位线，所述位线的涂布方式为使其运行为相对于位线(8)方向的横向，其中，在所述字符线(18/19)间的区域中的半导体材料是从所述沟渠(9)的底部被蚀刻，以降低沿着所述沟渠(9)的相邻记忆胞元间的串音干扰。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||