| 发明名称 | 金属氧化物半导体晶体管元件 | ||
| 摘要 | 一种金属氧化物半导体晶体管元件，包括一衬底、一栅极结构、一间隙壁、一源极/漏极区以及一阻障层。栅极结构配置于衬底上。栅极结构包括一栅极以及配置于栅极与衬底之间的一层栅介电层。间隙壁配置于栅极结构的侧壁上。源极/漏极区配置于间隙壁二侧的衬底中。阻障层环绕源极/漏极区周围，其中源极/漏极区与阻障层的材质相同，且源极/漏极区的掺杂浓度大于阻障层的掺杂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN1953208A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200510118120.2 | 申请日期 | 2005.10.20 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林焕顺;蔡振华;萧维沧;孟宪樑;施泓林 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种金属氧化物半导体晶体管元件，包括：一衬底；一栅极结构，配置于该衬底上，该栅极结构包括一栅极及配置于该栅极与该衬底之间的一栅介电层；一间隙壁，配置于该栅极结构的侧壁上；一源极/漏极区，配置于该间隙壁二侧的衬底中；以及一阻障层，环绕该源极/漏极区周围，其中该源极/漏极区与该阻障层的材质相同，且该源极/漏极区的掺杂浓度大于该阻障层的掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||