发明名称 液晶显示器的制造方法
摘要 本发明涉及一种制造液晶显示器(LCD)的方法,该方法是先形成P形低温多晶硅薄膜晶体管的有源层以及储存电容的下储存电极,再分别形成P型的源极/漏极以及在下储存电极中注入掺杂物,然后形成栅极绝缘层、栅极电极、电容介电层以及上储存电极,最后再形成液晶显示器的源极导线、漏极导线以及像素电极。
申请公布号 CN1312525C 申请公布日期 2007.04.25
申请号 CN03142449.X 申请日期 2003.06.12
申请人 统宝光电股份有限公司 发明人 石储荣;林国隆;陆一民
分类号 G02F1/1368(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 G02F1/1368(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种液晶显示器的制造方法,该液晶显示器包括至少一P型低温多晶硅薄膜晶体管以及至少一储存电容,该方法至少包括下列步骤:提供基板;在该基板之上形成多晶硅层;进行第一光刻暨蚀刻工序,去除部分上述多晶硅层,以便在上述基板的表面限定出有源区,其中上述有源区包括源极区域、漏极区域、通道区域以及下储存电极;进行第二光刻暨蚀刻工序,以便在上述基板之上形成第一掩模,其中该第一掩模暴露出上述源极区域、漏极区域以及下储存电极;利用第一掩模作为掩蔽物进行P型高浓度离子注入工序,以便在上述源极区域以及漏极区域内分别形成源极电极以及漏极电极,同时在上述下储存电极之内注入掺杂物;去除上述第一掩模;在上述基板之上形成第四绝缘层,用以覆盖上述有源区;在上述基板之上形成金属层,用以覆盖上述有源区;进行第三光刻暨蚀刻工序,去除部分上述金属层及部分第四绝缘层,以便在上述通道区域之上形成P型低温多晶硅薄膜晶体管的栅极电极,并在上述下储存电极之上形成储存电容的上储存电极,同时分别形成上述P型低温多晶硅薄膜晶体管的栅极绝缘层,并在上述下储存电极之上形成储存电容的电容介电层;在上述基板之上形成第一绝缘层,用以覆盖上述栅极电极及上储存电极;进行第四光刻暨蚀刻工序,去除部分上述第一绝缘层,以形成分别连通上述源极电极、漏极电极的第一接触孔;在上述第一绝缘层之上形成导电层,用以填满上述第一接触孔;进行第五光刻暨蚀刻工序,去除部分上述导电层,以便在上述第一绝缘层之上形成源极导线及漏极导线,且使源极导线及漏极导线分别经由相应的第一接触孔而被电连接至源极电极及漏极电极;以及在上述基板上形成第二绝缘层,用以覆盖上述第一绝缘层、源极导线及漏极导线;进行第六光刻暨蚀刻工序,去除部分上述第二绝缘层,用以形成至少一可通达上述漏极导线的第二接触孔;在上述第二绝缘层之上形成透明导电层;以及进行第七光刻暨蚀刻工序,去除部分透明导电层,以便在上述第二绝缘层之上形成至少一像素电极,且该像素电极经由上述被填有透明导电层的相应第二接触孔被电连接至漏极导线。
地址 台湾省新竹科学工业区苗栗县
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