| 发明名称 | 磁阻效应元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1953061A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200610137368.8 | 申请日期 | 2006.10.20 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美;岩崎仁志 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01);G01R33/09(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 徐申民;张惠萍 |
| 主权项 | 1.一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化固定层；磁化自由层；包含绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道的间隔层，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，使变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，依次进行氧化工序，其中使第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，或依次进行氮化工序，其中使第1氮化工序的氮化气体分压小于等于第2氮化工序的氮化气体分压的1/10，或依次进行氮氧化工序，其中使第1氮氧化工序的氮氧化气体分压小于等于第2氮氧化工序的氮氧化气体的1/10，在所述第1氧化工序、所述第1氮化工序或所述第1氮氧化工序中，对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。 | ||
| 地址 | 日本东京都港区芝浦一丁目1番1号 | ||