| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置及其制造方法，其提高动作上的可靠性。具备：选择栅(3a)，其配置在衬底(1)上的第1区域；浮置栅(6a)，其配置在与第1区域邻接的第2区域；第1及第2扩散区域(7a、7b)，其设置在与第2区域邻接的第3区域；控制栅(11)，其配置在浮置栅(6a)上，浮置栅(6a)的上端面平坦。 | ||
| 申请公布号 | CN1953161A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200610136186.9 | 申请日期 | 2006.10.13 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 真田和彦;金森宏治 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上的选择栅的侧壁经由绝缘膜形成侧壁状的浮置栅的工序；使所述浮置栅的上端部平坦化的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||