单闸极非挥发性内存的抹除方法

摘要

一种单闸极非挥发性内存的抹除方法，该非挥发性内存为具有单浮接闸极结构，进行抹除操作时，是由施加电压于汲极与门极，来产生反层，以降低抹除电压与提升抹除速度，并可防止过度抹除。

主权项

1.一种单闸极非挥发性内存的抹除方法，该非挥发性内存包括一P型半导体基底、一晶体管与一N井电容结构，该晶体管与该N井电容结构设置于该P型半导体基底，该晶体管包括一第一导电闸极与复数个第一离子掺杂区，且该些第一离子掺杂区于该第一导电闸极的两侧分别形成源极及汲极，该N井电容结构包括一第二离子掺杂区与一第二导电闸极，且该第一导电闸极与该第二导电闸极为电连接而形成一单浮接闸极，该抹除方法的特征在于：于该P型半导体基底、该源极、该汲极与该第一离子掺杂区上分别施加一基底电压Vsub、一源极电压Vs、一汲极电压Vd与一控制闸极电压Vc，并满足下列条件：Vd＞Vc≥Vs≥Vsub；及Vsub为接地。