基于氮化物的半导体发光二极管

摘要

本发明提供了一种基于氮化物的半导体LED。在该基于氮化物的半导体LED中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，该n型氮化物半导体层具有被分成具有指状结构的第一区域和第二区域的顶面，以便第一区域和第二区域彼此啮合。在n型氮化物半导体层的第二区域上形成有源层。p型氮化物半导体层形成在有源层上，然后在p型氮化物半导体层上形成反射电极。在反射电极上形成p电极，以及在n型氮化物半导体层的第一区域上形成n电极。在n电极上形成多个n型电极焊盘。至少一个n型电极焊盘邻近n电极的不同侧面布置。

主权项

1.一种基于氮化物的半导体发光二极管(LED)，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在所述衬底上，所述n型氮化物半导体层具有被分成具有指状结构的第一区域和第二区域的顶面，从而使所述第一区域和所述第二区域彼此啮合；有源层，形成在所述n型氮化物半导体层的所述第二区域上；p型氮化物半导体层，形成在所述有源层上；反射电极，形成在所述p型氮化物半导体层上；p电极，形成在所述反射电极上；n电极，形成在所述n型氮化物半导体层的所述第一区域上；以及多个n型电极焊盘，形成在所述n电极上，所述n型电极焊盘中的至少一个邻近所述n电极的不同侧面布置。