| 发明名称 | 分别应变的N沟道和P沟道晶体管 | ||
| 摘要 | 具有形成在第一晶片上的第一组晶体管和形成在第二晶片的第二组晶体管的集成电路。所述第一晶体管中的至少基本上多数晶体管是第一导电类型，且所述第二组晶体管中的至少基本上多数晶体管是第二导电类型。在晶片被接合到一起后，所述第二晶片的一部分被去除，其中所述第二组晶体管的沟道的应变比所述第一组晶体管的沟道的应变更具压缩性。 | ||
| 申请公布号 | CN1954410A | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200580015236.1 | 申请日期 | 2005.04.26 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 斯科特·K·鲍兹德尔;塞利·M.·塞里克;比阳·W.·民;万斯·H.·阿达姆斯 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/4763(2006.01);H01L27/01(2006.01);H01L29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1、一种集成电路，包括：衬底；位于所述衬底上的第一层；在所述第一层中实现的第一组沟道区，其中在所述第一层中实现的沟道区中的至少基本上多数沟道区用于第一导电类型的晶体管；在所述第一层上的粘合材料；在所述粘合材料上的第二层；在所述第二层中实现的第二组沟道区，其中在所述第二层中实现的沟道区中的至少基本上多数的沟道区用于第二导电类型的晶体管。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||