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发明名称
3.5 Transistor non-volatile memory cell using gate breakdown phenomena
摘要
申请公布号
EP1777708(A1)
申请公布日期
2007.04.25
申请号
EP20060251693
申请日期
2006.03.28
申请人
KILOPASS TECHNOLOGY, INC.
发明人
CALLAHAN, JOHN M.;VERNENKER, HEMANSHU T.;FLIESLER, MICHAEL D.;ROSENDALE, GLEN A.;LUAN, HARRY S.;LIU, ZONGSHANG
分类号
G11C17/16;G11C17/18
主分类号
G11C17/16
代理机构
代理人
主权项
地址
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