发明名称 介电层的制造方法
摘要 一种介电层的制造方法,首先提供一衬底,并于衬底上形成介电层。然后,对介电层进行氮化工艺。然后,对介电层进行第一退火工艺,第一退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第一气体,其中第一气体的不活泼气体对氧气具有第一分压比。之后,对介电层进行第二退火工艺,第二退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第二气体,其中第二气体的不活泼气体对氧气具有第二气体分压比,且第二气体分压比小于第一气体分压比。此外,二次退火工艺中至少有一次温度要在950℃以上。此发明方法可使介电层中的氮掺杂剂分布均匀。
申请公布号 CN1953144A 申请公布日期 2007.04.25
申请号 CN200510118135.9 申请日期 2005.10.20
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 王俞仁;颜英伟;龙健华;詹书俨;黄国泰
分类号 H01L21/3105(2006.01);H01L21/3115(2006.01) 主分类号 H01L21/3105(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种介电层的制造方法,包括:提供一衬底;于该衬底上形成一介电层;对该介电层进行一氮化工艺;对该介电层进行一第一退火工艺,所使用的气体为含有一不活泼气体与氧气的一第一气体,该第一气体的该不活泼气体对氧气具有一第一分压比;以及对该介电层进行一第二退火工艺,所使用的气体为含有该不活泼气体与氧气的一第二气体,该第二气体的该不活泼气体对氧气具有一第二气体分压比,且该第二气体分压比小于该第一气体分压比。
地址 中国台湾新竹科学工业园区