主权项 |
1.多点曲率补偿的带隙基准电压源,其特征在于,该带隙基准电压源含有:一阶补偿带隙基准电压源,包括:PMOS管(P4),该(P4)管的衬底和源极相连后接电源,漏极(X)接三极管(Q1)的发射极,该(Q1)管的集电极和基极都接地;PMOS管(P5),该(P5)管的衬底和源极相连后接电源,漏极(Y)经电阻(R1)后接三极管(Q2)的发射极,该(Q2)管的集电极和基极都接地;PMOS管(P6),该(P6)管的衬底和源极相连后接电源,漏极为输出端(VREF),该(VREF)端经电阻(R2)后接三极管(Q3)的发射极,该(Q3)管的集电极和基极都接地;运算放大器(A),正输入端接所述PMOS管(P4)的漏极(X),负输入端接所述PMOS管(P5)的漏极(Y);向所述三极管(Q1)注入电流(Ia)的电流支路,包括:PMOS管(P2),该(P2)管的衬底和源极相连后接电源,栅极和所述(P4)管、(P5)管以及(P6)管的栅极相连,而该(P2)管的漏极经电阻(R3)后接地;PMOS管(P1),该(P1)管的栅极和所述(P2)管的漏极相连,而该(P1)管的衬底和源极相连后接电源,漏极接所述三极管(Q1)的集电极;向所述三极管(Q2)注入电流(Ib)的电流支路,包括:PMOS管(P3),该(P3)管的衬底和源极相连后接电源,栅极和所述(P2)管的栅极以及运算放大算器(A)的输出端相连,而该(P3)管的漏极经电阻(R4)后接地;NMOS管(N1),该(N1)管的栅极和所述(P3)管的漏极相连,而该(N1)管的衬底和源极相连后接地,漏极接所述(Q2)管的发射极;其中,所有PMOS管的尺寸相同,三极管(Q2)的面积分别是三极管(Q1)、三极管(Q3)的N倍,电阻(R2)的大小是电阻(R1)的M倍,其中,N=8,M值由下式确定:<math> <mrow> <mi>M</mi> <mo>·</mo> <mi>ln</mi> <mi>N</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mrow> <mi>G</mi> <mn>0</mn> <mi>r</mi> </mrow> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>BE</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>r</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>r</mi> </msub> </mfrac> <mo>·</mo> <mfrac> <mi>q</mi> <mi>k</mi> </mfrac> <mo>+</mo> <mi>η</mi> <mo>-</mo> <mn>1</mn> <mo>,</mo> </mrow> </math> 上式中,VG0r是半导体材料从参考温度Tr外推到绝对零度时得到的带隙基准电压,对于硅材料,其典型值是1.20595V,VBE(Tr)是温度Tr时测得的三极管的发射结电压VBE,η是设定值,其典型值是2.405,q是电子的电荷,k是波尔兹曼常数。 |