发明名称 光刻中的成像和器件
摘要 用于光刻的系统和技术。在一个方面,方法包括通过利用包括亚波长特征的器件调制辐射的零级衍射的强度和相位来生产微电子器件,所述亚波长特征具有小于所述辐射的一个波长的节距尺寸。
申请公布号 CN1954262A 申请公布日期 2007.04.25
申请号 CN200580015552.9 申请日期 2005.04.29
申请人 英特尔公司 发明人 埃迪塔·泰吉尼尔;亚恩·博罗多夫斯基
分类号 G03F1/00(2006.01);G03F1/14(2006.01) 主分类号 G03F1/00(2006.01)
代理机构 北京嘉和天工知识产权代理事务所 代理人 严慎
主权项 1.一种器件,包括具有小于辐射的波长的节距尺寸的亚波长特征,以图形化微电子器件,所述特征被布置来调制作为在所述器件上的所述特征的布局的函数的所述辐射的零级衍射强度和相位。
地址 美国加利福尼亚州