通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法

摘要

一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；一平面栅电极制作在氧化物绝缘层上；一氧化物薄层包裹在源极、漏极、硅纳米电导细线和平面栅电极的表面；二个氧化物隧穿结是通过注氧和热氧化形成的，埋于硅纳米电导细线的内部，并由氧化物隧穿结所限制；二个掩膜窗口包裹在硅纳米电导细线表面的氧化物薄层上，位于氧化物隧穿结上面。

主权项

1.一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，其特征在于，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线，该硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极，该源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接，该硅纳米电导细线、源极和漏极形成一工字形结构；一平面栅电极，该平面栅电极制作在氧化物绝缘层上，该平面栅电极位于硅纳米电导细线的一侧；一氧化物薄层，该氧化物薄层包裹在源极、漏极、硅纳米电导细线和平面栅电极的表面，并对硅纳米电导细线形成量子线限制；二个氧化物隧穿结，该二个氧化物隧穿结是通过注氧和热氧化形成的，该二个氧化物隧穿结埋于硅纳米电导细线的内部，该二个氧化物隧穿结之间形成量子点，并由氧化物隧穿结所限制；二个掩膜窗口，该二个掩膜窗口包裹在硅纳米电导细线表面的氧化物薄层上，位于氧化物隧穿结上面。