| 主权项 |
1.一种光电薄膜晶片,包括: -至少一辐射发射区(8),其位于薄膜层(2)之活性区(7 )中,该薄膜层(2)为由磊晶生长于生长基板上的层 序列,其中生长基板系由层序列中去除, -配置在辐射发射区(8)之后之透镜(10,12),其由薄膜 层(2)之至少一部份区域所形成,其中透镜(10,12)之 横向尺寸()大于辐射发射区之横向尺寸()。 2.如申请专利范围第1项之光电薄膜晶片,其中具有 多个辐射发射区(8),每一辐射发射区(8)之后恰巧配 置一种透镜(10,12)。 3.如申请专利范围第1或2项之光电薄膜晶片,其中 具有: -一载体(1),其上施加薄膜层(2), -至少一电流注入区(6),其配置在载体(1)和薄膜层(2 )之间,其中透镜之横向尺寸()大于电流注入区之 横向尺寸()。 4.如申请专利范围第1或2项之光电薄膜晶片,其中 透镜(10,12)形成在薄膜层(2)之远离载体(1)之表面(9) 上。 5.如申请专利范围第1或2项之光电薄膜晶片,其中 透镜(10,12)之横向尺寸()介于30和100微米之间。 6.如申请专利范围第3项之光电薄膜晶片,其中电流 注入区(6)之横向尺寸()介于1和80微米之间。 7.如申请专利范围第1或2项之光电薄膜晶片,其中 辐射发射区(8)和透镜(10,12)之足点(10a)之间的距离 介于1和50微米之间。 8.如申请专利范围第1项之光电薄膜晶片,其中在薄 膜层(2)之面向载体(1)之界面中具有至少一凹口(13) ,其中此凹口(13)至少一部份围绕该电流注入区(6) 。 9.如申请专利范围第8项之光电薄膜晶片,其中此凹 口(13)之深度介于1和20微米之间。 10.如申请专利范围第8项之光电薄膜晶片,其中此 凹口(13)在薄膜层(2)之远离该载体(1)之表面之方向 中逐渐变细且凹口(13)之内壁是与载体(1)形成一种 介于10度和90度之间的角度()。 11.一种如申请专利范围第1至10项中任一项之光电 薄膜晶片之制造方法,其中-至少一辐射发射区(8), 其位于薄膜层(2)之活性区(7)中,该薄膜层(2)为由磊 晶生长于生长基板上的层序列,其中生长基板系由 层序列中去除,-配置在辐射发射区(8)之后之透镜( 10,12),其由薄膜层(2)之至少一部份区域所形成,其 中透镜(10,12)之横向尺寸()大于辐射发射区之横 向尺寸(),透镜(10,12)制作在薄膜层(2)之远离该载 体(1)之表面(9)上。 12.如申请专利范围第11项之光电薄膜晶片之制造 方法,其中该透镜(10,12)藉由蚀刻过程而制成。 图式简单说明: 第1图 本发明之薄膜晶片之第一实施例之切面图 。 第2图 本发明之薄膜晶片之第二实施例之切面图 。 第3图 本发明之薄膜晶片之第三实施例之切面图 。 第4图 本发明之薄膜晶片之第四实施例之切面图 。 第5a图 薄膜晶片之一实施例中透镜具有不同之厚 度値时此薄膜晶片之已算出的发射效率之値的图 表。 第5b图 薄膜晶片之一实施例中发射效率相对于透 镜厚度之图解。 第6a图 薄膜晶片之一实施例中此薄膜晶片之已算 出的发射效率之値相对于辐射发射区和透镜之足 点之间的距离之图表。 第6b图 薄膜晶片之一实施例中此薄膜晶片之已算 出的发射效率之値相对于辐射发射区和透镜之足 点之间的距离之图解。 |
