可减低反射至薄膜电晶体之光量之液晶显示器及其制造方法

摘要

本发明提供一种藉由减低入射至薄膜电晶体之反射光量以避免薄膜电晶体特性退化之液晶显示器及其制造方法。光截取(interception)薄膜2由一制于透明基底1上之矽化物膜与一用于覆盖该矽化物膜上部之多晶矽膜所组成，且多晶矽膜3乃用于覆盖该光截取薄膜2之上部。然后，藉由该光截取薄膜2与该多晶矽膜3组成一光截取膜，制于具透明绝缘膜4干涉(interposition)之光截取膜上之薄膜电晶体所用多晶矽层5上的光截取效应与足够的热阻抗及黏着性可于薄膜电晶体制程内获得。

主权项

1.一种液晶显示器,包含:一透明基底,一制于该透 明基底上之透明绝缘膜;一制于该透明绝缘膜上之 半导体薄膜电晶体;以及一制作于该透明基底与该 透明绝缘膜之间对应该半导体薄膜电晶体区域的 光截取膜;其中 该光截取膜具有一制于该透明基底上之矽化物所 组成的第一薄膜,与用来覆盖至少该第一薄膜上部 之半导体所组成的第二薄膜; 该第一薄膜由一高熔点金属矽化物所组成;及 该第二薄膜由Si系列半导体或Ge系列半导体所组成 。 2.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中该光截 取膜进一步包含一制于该透明基底与矽化物所组 成之该第一薄膜之间的半导体所组成的第三薄膜 。 3.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中半导体 所组成之该第二薄膜覆盖矽化物所组成之该第一 薄膜之一表面部份。 4.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中该半导 体薄膜电晶体为一多晶矽薄膜电晶体。 5.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中该透明 绝缘膜为一矽氧化物或矽氮化物。 6.一种制造液晶显示器的方法,包含如下步骤: 于透明基底上之区域制造一矽化物所组成之第一 薄膜,半导体薄膜电晶体之半导体层将制于该透明 基底; 至少于矽化物所组成之该第一薄膜上部制作一半 导体所组成之第二薄膜; 于该透明基底上与半导体所组成之该第二薄膜上 制作一透明绝缘膜;以及 于该透明绝缘膜上对应矽化物所组成之该第一薄 膜的区域上制作该半导体薄膜电晶体之半导体层; 其中该半导薄膜电晶体为一多晶矽薄膜电晶体且 该半导体层为一多晶矽层。 7.如申请专利范围第6项之制造液晶显示器的方法, 进一步包含在制作第一薄膜之前制作透明基底上 半导体所组成之第三薄膜的步骤,该第三薄膜系置 于透明基底与第一薄膜之间。 8.如申请专利范围第6项之制造液晶显示器的方法, 其中该第三薄膜系由多晶矽所组成。 图式简单说明: 图1为根据本发明第一具体实施例之LCD的TFT基底主 部份剖面图; 图2A,2B,2C,2D,2E及2F为LCD之TFT基底制程图示; 图3为根据本发明第二具体实例之LCD的TFT基底主部 份剖面图; 图4A,4B,4C,4D,4E及4F为LCD之TFT基底制程图示;以及 图5为根据先前技艺之LCD的TFT基底剖面图。