| 主权项 |
1.一种用于将红色、绿色及蓝色具体化之影像感 测器,包含: 复数个光二极体,其形成于一基板上且集收入射至 不同单元像素之光线; 一氧化矽层,其形成于该等复数个光二极体上; 一氮化矽层,其形成于该氧化矽层上,其中该氮化 矽层形成于该等绿色及蓝色单元像素之一单层内, 且在该红色单元像素之一上部分上分开成二层;及 复数个微透镜,其形成于该氮化矽层之多数个部分 上且对应于各别之该光二极体。 2.如请求项1之影像感测器,其中该氮化矽层在该红 色单元像素之一上部分上具有一大约400埃至600埃 范围内之厚度,且在该蓝色单元像素之一上部分上 具有一大约300埃至400埃范围内之厚度。 3.如请求项2之影像感测器,其中该氮化矽层在该绿 色单元像素之一上部分上具有一大约300埃至400埃 范围内之厚度。 4.如请求项2之影像感测器,其中该氧化矽层具有一 大约150埃至250埃范围内之厚度。 5.如请求项3之影像感测器,其中该氧化矽层具有一 大约150埃至250埃范围内之厚度。 6.一种用于将黄色、洋红色及青色具体化之影像 感测器,包含: 复数个光二极体,其形成于一基板上且集收入射至 不同单元像素之光线; 一氧化矽层,其形成于该等复数个光二极体上; 一氮化矽层,其形成于该氧化矽层上,其中该氮化 矽层形成于该等洋红色及青色单元像素之一单层 内,且在该黄色单元像素之一上部分上分开成二层 ;及 复数个微透镜,其形成于该氮化矽层之多数个部分 上且对应于各别之该光二极体。 7.如请求项6之影像感测器,其中该氮化矽层在该黄 色单元像素之一上部分上具有一大约400埃至600埃 范围内之厚度,且在该青色单元像素之一上部分上 具有一大约300埃至400埃范围内之厚度。 8.如请求项7之影像感测器,其中该氮化矽层在该洋 红色单元像素之一上部分上具有一大约300埃至400 埃范围内之厚度。 9.如请求项7之影像感测器,其中该氧化矽层具有一 大约150埃至250埃范围内之厚度。 10.如请求项8之影像感测器,其中该氧化矽层具有 一大约150埃至250埃范围内之厚度。 11.一种用于制造一将红色、绿色及蓝色具体化之 影像感测器的方法,包含以下步骤: 将复数个光二极体形成于一基板上,其集收入射至 不同单元像素之光线; 将一氧化矽层形成于该等复数个光二极体上; 将一第一氮化矽层形成于该氧化矽层上; 将该等绿色及蓝色单元像素内之该第一氮化矽层 选择性移除; 将一第二氮化矽层形成于该氧化矽层与该第一氮 化矽层之一剩余部分上;及 将复数个微透镜形成于该氮化矽层之多数个部分 上且对应于各别之该光二极体。 12.一种用于制造一将黄色、洋红色及青色具体化 之影像感测器的方法,包含以下步骤: 将复数个光二极体形成于一基板上,其集收入射至 不同单元像素之光线; 将一氧化矽层形成于该等复数个光二极体上; 将一第一氮化矽层形成于该氧化矽层上; 将该等洋红色及青色单元像素内之该第一氮化矽 层选择性移除; 将一第二氮化矽层形成于该氧化矽层与该第一氮 化矽层之一剩余部分上;及 将复数个微透镜形成于该氮化矽层之多数个部分 上且对应于各别之该光二极体。 13.如请求项11之方法,其中该第一氮化矽层具有一 大约100埃至200埃范围内之厚度。 14.如请求项12之方法,其中该第一氮化矽层具有一 大约100埃至200埃范围内之厚度。 15.如请求项13之方法,其中该第二氮化矽层具有一 大约300埃至400埃范围内之厚度。 16.如请求项14之方法,其中该第二氮化矽层具有一 大约300埃至400埃范围内之厚度。 17.如请求项15之方法,其中该氧化矽层具有一大约 150埃至250埃范围内之厚度。 18.如请求项16之方法,其中该氧化矽层具有一大约 150埃至250埃范围内之厚度。 图式简单说明: 图1系一俯视图,说明一习知互补型金属氧化物半 导体(CMOS)影像感测器之单元像素之一配列方式; 图2系一截面图,说明沿图1之线A-A'方向中所取之一 习知CMOS影像感测器之单元像素; 图3系一截面图,其简单说明根据本发明之一特定 实施例之一CMOS影像感测器; 图4A至4C系截面图,说明根据本发明之特定实施例 之一用于制造一影像感测器之方法;及 图5系一图表,说明根据不同波长范围之一习知影 像感测器与一具体实施之影像感测器之间之透射 比强度差异。 |
