| 主权项 |
1.一种覆晶封装制程,适于封装一晶片与一基板,该 覆晶封装制程包括下列步骤: 形成一预焊层于该基板之一部分接点上,而其余未 覆盖该预焊层之接点系作为一定位接点; 配置该晶片于该基板上,该晶片具有多数个高熔点 凸块,其对应连接于该部分接点上之该预焊层,且 该晶片还具有至少一低熔点凸块,其对应连接于上 述之定位接点上;以及 控制回焊温度,使其由该低熔点凸块之熔点温度升 高至该预焊层之熔点温度,当回焊温度控制在该低 熔点凸块之熔点温度时,该低熔点凸块因受热而呈 熔融态,并藉由其表面张力,使该晶片定位于该基 板上,且当回焊温度控制在该预焊层之熔点温度时 ,该预焊层受热而呈熔融态,并连接于该高熔点凸 块之表面。 2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,更包 括填入一底胶于该晶片与该基板之间,并包覆该些 高熔点凸块与该低熔点凸块。 3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中 该预焊层系以印刷或涂布的方式所形成。 4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中 该低熔点凸块之材质系为锡铋合金或锡铟合金。 5.一种覆晶封装制程,适于封装一晶片与一基板,该 覆晶封装制程包括下列步骤: 形成一预焊层于该基板之一部分接点上,而其余未 覆盖该预焊层之接点系作为一定位接点; 形成一低熔点凸块于上述定位接点上; 配置该晶片于该基板上,该晶片具有多数个高熔点 凸块,其对应连接于该部分接点上之该预焊层;以 及 控制回焊温度,使其由该低熔点凸块之熔点温度升 高至该预焊层之熔点温度,当回焊温度控制在该低 熔点凸块之熔点温度时,该低熔点凸块因受热而呈 熔融态,并藉由其表面张力,使该晶片定位于该基 板上,且当回焊温度控制在该预焊层之熔点温度时 ,该预焊层受热而呈熔融态,并连接于该高熔点凸 块之表面。 6.如申请专利范围第5项所述之覆晶封装制程,更包 括填入一底胶于该晶片与该基板之间,并包覆该些 高熔点凸块与该低熔点凸块。 7.如申请专利范围第5项所述之覆晶封装制程,其中 该预焊层系以印刷或涂布的方式所形成。 8.一种封装载板,包括: 一基板,具有多数个接点,而该些接点之至少一系 作为一定位接点; 一焊罩层,覆盖于该基板之表面上,且该焊罩层具 有多数个开口,其对应显露出该些接点;以及 一预焊层,覆盖于除了上述定位接点以外的该些接 点上。 9.如申请专利范围第8项所述之封装载板,更包括一 低熔点凸块配置于该定位接点上。 10.如申请专利范围第8项所述之封装载板,其中该 低熔点凸块之熔点温度系低于该预焊层之熔点温 度。 11.如申请专利范围第10项所述之封装载板,其中该 预焊层之熔点温度为183度~220度。 12.如申请专利范围第8项所述之封装载板,其中该 预焊层之材质系为锡铅合金,且锡铅重量百分比为 63:37。 13.如申请专利范围第8项所述之封装载板,更包括 一有机抗氧化层,其覆盖于该定位接点上。 14.如申请专利范围第8项所述之封装载板,更包括 一化镍浸金层,其覆盖于该定位接点上。 15.如申请专利范围第8项所述之封装载板,其中该 些接点以阵列型态排列,而该定位接点系配置于该 些接点之角落区域。 16.如申请专利范围第8项所述之封装载板,其中该 些接点以阵列型态排列,而该定位接点系环绕于该 些接点之外围区域。 17.一种晶片封装结构,包括: 一晶片,具有多数个高熔点凸块以及至少一低熔点 凸块,而该低熔点凸块之熔点温度低于一预焊层的 熔点温度,且该些高熔点凸块之熔点温度高于该预 焊层的熔点温度; 一基板,具有多数个接点,而部分这些接点上覆盖 该预焊层,并对应连接该些高熔点凸块,而其余未 覆盖该预焊层之该些接点系作为该低熔点凸块之 定位接点;以及 一底胶,配置于该晶片与该基板之间,并包覆该些 高熔点凸块与该低熔点凸块。 18.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该低熔点凸块系为一无效凸块(dummy bump),且该晶 片藉由该些高熔点凸块与该基板电性连接。 19.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该低熔点凸块之材质系为锡铋合金或锡铟合金, 且该晶片藉由该些高熔点凸块电性连接至该基板 。 20.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该低熔点凸块之材质系为锡铋合金或锡铟合金, 且该晶片藉由该些高熔点凸块与该低熔点凸块电 性连接至该基板。 21.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该低熔点凸块之材质系为高分子聚合物,且该晶 片藉由该些高熔点凸块电性连接至该基板。 22.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该些接点以阵列型态排列,而上述定位接点系配 置于该些接点之角落区域。 23.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该些接点以阵列型态排列,而上述定位接点系环 绕于该些接点之外围区域。 24.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该预焊层之熔点温度为183度~220度。 25.如申请专利范围第17项所述之晶片封装结构,其 中该预焊层之材质系为锡铅合金,且锡铅重量百分 比为63:37。 图式简单说明: 图1~图3依序绘示习知一种覆晶封装制程的流程示 意图。 图4~图8依序绘示本发明一较佳实施例之一种覆晶 封装制程的流程示意图。 图4A~图4C分别绘示本发明三较佳实施例之一种封 装载板的俯视示意图。 图9绘示本发明另一实施例之一种晶片与基板接合 的示意图。 |
