发明名称 大功率型发光二极体
摘要 本新型系揭露一种发光二极体,尤指一种大功率型发光二极体,至少包括一壳体,在壳体内部设置有复数个第一支架与相对应复数个第二支架连接到外部;一透镜,底部具有一底座,在底座四周并设置有复数个穿孔,当该透镜设置于壳体内部时,可以自穿孔注入一封装胶体使透镜稳固于壳体上方。一散热柱,设置于该壳体内部,该散热柱底部外露于壳体,可将该壳体内部的热量导出;一基板,设置于该散热柱上方;一个或复数个发光二极体晶片可设置于一个或复数个该基板上,亦可直接设置于该散热柱上方,透过复数条晶线与该第一、二支架电性连接,如此一来就可以将大型发光二极体晶片发光时产生的热量散逸出,有效增长发光二极体的产品使用周期,也非常符合未来的趋势。
申请公布号 TWM310454 申请公布日期 2007.04.21
申请号 TW095211208 申请日期 2006.06.27
申请人 今台电子股份有限公司 发明人 宋文洲
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种大功率型发光二极体,至少包含有: 一壳体,在该壳体内部包覆设置有复数个第一支架 与相对应复数个第二支架连接到外部; 一透镜,该透镜底部具有一底座,该底座四周设置 有复数个穿孔,当该透镜设置于该壳体内部时,可 以自该穿孔注入一封装胶体使该透镜稳固于该壳 体上方; 一散热柱,设置于该壳体内部,该散热柱底部外露 于壳体,可将该壳体内部的热量导出; 一基板,设置于该散热柱上方;一个或复数个发光 二极体晶片可设置于一个或复数个该基板上,亦可 直接设置于该散热柱上方,透过复数条晶线与该第 一、二支架电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该第一支架透过该晶线与该发光二极体 晶片电性连接。 3.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该第一支架与该散热柱分隔。 4.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该第二支架与该散热柱相连接。 5.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该第二支架透过该晶线与该发光二极体 晶片电性连接。 6.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的底部外型为一梯形,使该散热 柱可以稳固于该壳体内部。 7.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的底部外型为一圆锥状,使该散 热柱可以稳固于该壳体内部。 8.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱底部的外型为一上窄下宽的形 状,使该散热柱可以稳固于该壳体内部。 9.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的材质可为铁制。 10.如申请专利范围第1顶所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的材质可为铜制。 11.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的材质可为铝制。 12.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的材质可为不锈钢制。 13.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的材质可为合金制。 14.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的材质可为导热系数高的金属 制。 15.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该透镜与该发光二极体晶片之间设置有 一矽胶。 16.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的外侧具有复数个条纹,使该散 热柱可以稳固于该壳体内部。 17.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的底部与该壳体底部成一水平 面。 18.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该散热柱的底部凸出于该壳体的底部。 19.如申请专利范围第1项所述之大功率型发光二极 体,其中,该基板可为一个或复数个陶瓷(或SiC)基板 。 图式简单说明: 第1图为本新型大功率型发光二极体之立体图。 第2图为本新型大功率型发光二极体之分解图。 第3图为本新型大功率型发光二极体之剖视图。 第4图为本新型可抽换式垫体之另一实施例图。 第5图为本新型可抽换式垫体之另一实施例图仰视 图。
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