发明名称 供紫外线(UV)刻印用之顺应式模版
摘要 所揭系为一种顺应式UV压印微影模版,其亦可作为一热压印模版,及其制造方法。该模版主要包含一纹路影像,及一弹性体可调整该纹路影像。在一实施例中,该纹路影像系被设在可顺变的压印层中,而该弹性体则被设在该压印层与硬质透明基材之间。在一实施例中,该模版可顺应一晶圆表面。在一实施例中,系将一弹性体及一压印层叠层于一基板上,并将一纹路影像图案化于该压印层中来制成该模版。
申请公布号 TWI279830 申请公布日期 2007.04.21
申请号 TW094113233 申请日期 2005.04.26
申请人 分子压模公司 发明人 渥特斯;佛席恩;史瑞尼瓦森
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种微影模版,包含: 一压印区,其内含有一整体的纹路影像;及 一弹性体,系被制成可调整该纹路影像的至少一部 份。 2.如申请专利范围第1项之模版,其中该压印区整体 系可透射光化性辐射。 3.如申请专利范围第1项之模版,更包含一压印层, 其整体系可透射光化性辐射,且该压印层包含一第 一表面平行于一第二表面,其中该第一表面包含该 压印区,而该弹性体系邻接于第二表面。 4.如申请专利范围第1项之模版,更包含一基材,其 系以该弹性体来与该压印区隔开,且该基材会比该 压印区更硬。 5.如申请专利范围第1项之模版,其中该纹路影像包 含特征细构等具有各尺寸,而前述调整该纹路影像 的至少一部份包括改变至少一细构的至少一尺寸 。 6.一种制造微影模版的方法,包含: 在一基材上制成至少一弹性层; 在至少一弹性层上制成一压印层,而使至少一弹性 层介设于该基材与压印层之间; 制成一阻罩层而使一邻接该阻罩层的料层之一部 份能经由该阻罩层而被曝露,其中该阻罩层系被设 成能使该压印层介于该阻罩层与弹性层之间; 蚀刻该压印层之一或多个曝露部份,而使一纹路影 像形成于该压印层上;及 除掉该阻罩层。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该压印层包含 一压印区,而该纹路图案整体系被设在该压印区内 ,且该整个压印区能透射光化性辐射。 8.如申请专利范围第6项之方法,其中该压印层系可 顺应于一晶圆表面。 9.如申请专利范围第6项之方法,更包含:在被蚀刻 的压印层上制成一阻罩层,而使围界该纹路图案之 一矩形压印区被罩蔽;及蚀刻该纹路影像周边的外 部,而使该周边的整个被蚀刻表面能与该压印区表 面形成相隔的水平间距。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中蚀刻该周边 更包括蚀入该基材内。 图式简单说明: 第1图为本发明之一模版实施例的截面图; 第2图为本发明之该模版的制造方法例之一开始步 骤的截面图; 第3图为本发明之该模版的制造方法例之一后续步 骤的截面图; 第4图为本发明之该模版的制造方法例之一后续步 骤的截面图; 第5图为本发明之该模版的制造方法例之一后续步 骤的截面图; 第6图为本发明之该模版的制造方法例之一后续步 骤的截面图; 第7图为本发明之该模版的制造方法例之一开始步 骤的截面图; 第8图为本发明之该模版的制造方法例之一后续步 骤的截面图; 第9图为本发明之该模版的制造方法例之一后续步 骤的截面图; 第10图为本发明之该模版的制造方法例之一后续 步骤的截面图; 第11图为本发明之该模版的制造方法例之一后续 步骤的截面图; 第12图为本发明之该模版的制造方法例之一后续 步骤的截面图; 第13图为本发明之一模版实施例的平面图; 第14图为本发明之一模版实施例的平面图; 第15图为本发明之一模版实施例的平面图;及 第16图为本发明之该模版的制造方法之一例的截 面图。
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