| 主权项 |
1.一种电子束记录装置,系包含: 旋转驱动单元,用于旋转驱动碟片基板,该碟片基 板具有阻剂层形成其表面上; 电子束照射单元,用于以可自由偏转方式在该阻剂 层的表面上照射曝光用电子束; 偏移驱动单元,用于针对由该旋转驱动单元对该碟 片基板的每一次旋转,而以该碟片基板径向偏移该 电子束的照射位置一预设距离,以推进该电子束之 照射位置;及 控制手段,根据由该旋转驱动单元所形成之该碟片 基板的旋转角度、由该偏移驱动单元所形成之偏 移位置、以及表示预设图样之记录资料,而控制该 电子束照射单元在该阻剂层表面上所形成之照射 位置,而于该阻剂层内形成对应于预设图样的潜像 ; 其中,该电子束照射单元系包含电子束调整手段, 其系用于响应该控制手段所控制之照射位置而将 该电子束的照射方式调整成在该阻剂层表面上朝 横亘轨道的方向涵盖多个轨道。 2.如申请专利范围第1项之电子束记录装置,其中, 该电子束调整手段,系用在该碟片基板的径向以高 速偏转该电子束的高速偏转器(high-speed deflector)。 3.如申请专利范围第1项之电子束记录装置,其中, 该电子束调整手段系包含:小孔板,系设置有单轨 小孔与在该碟片基板径向延伸至少双轨长度之多 轨小孔;与用于偏转该电子束,藉以使电子束选择 性穿过该单轨小孔或多轨小孔的的偏转手段。 4.如申请专利范围第3项之电子束记录装置,其中, 该偏转手段为遮没板。 5.如申请专利范围第3项之电子束记录装置,其中, 该偏转手段为配置在遮没板与该小孔板之间的高 速偏转器。 6.如申请专利范围第1项之电子束记录装置,其中, 当该电子束的照射位置在第一预设轨道且该碟片 基板的旋转角度系在预设旋转角度时,该电子束调 整手段从该第一预设轨道朝向该碟片基板之外周 缘侧以该碟片基板的径向连续照射该电子束于该 第一预设之多个轨道,随后,当该电子束的照射位 置系在与该第一预设轨道朝向该碟片基板外周缘 侧离开至少该第一预设之多个轨道的第二预设轨 道,且该碟片基板的旋转角度系为该预设旋转角度 时,该电子束调整手段从该第二预设轨道朝向该碟 片基板外周缘侧以该碟片基板的径向连续照射该 电子束于该第二预设之多个轨道,俾在该碟片基板 的该预设旋转角度形成比该第一预设之多个轨道 之轨道至轨道的距离更长的连续纵长图样而作为 潜像。 7.如申请专利范围第1项之电子束记录装置,其中, 该预设图样为依每一预设角度重复伺服带(servo zone)与资料带(data zone)的图样,且该伺服带包含延 伸于该多个轨道之图样。 8.如申请专利范围第7项之电子束记录装置,其中, 该伺服带系包含标记部份,该标记部份系包含时脉 讯号、用于表示轨道之位址资讯的位址讯号、与 用于侦测轨道之位置的位置侦测讯号之至少一者 。 9.如申请专利范围第8项之电子束记录装置,其中, 系分别在伺服时脉区内形成该时脉讯号,在位址标 记区内形成该位址讯号,且在位置侦测标记区内形 成该位置侦测讯号。 10.一种电子束记录的方法,系包含以下步骤: 旋转驱动步骤,用于旋转驱动具有阻剂层形成于其 表面上的碟片基板; 照射步骤,用于以可自由偏转的方式照射曝光用电 子束至该阻剂层之表面; 偏移驱动步骤,用于针对该碟片基板的每一次旋转 ,以该碟片基板径向偏移该电子束的照射位置一预 设距离,以推进该电子束之照射位置;以及 控制步骤,根据该碟片基板的旋转角度、该电子束 照射位置在该碟片基板径向的偏移距离、以及表 示预设图样的记录资料,而控制该电子束于该阻剂 层的表面上的照射位置,从而于该阻剂层内形成对 应至预设图样的潜像; 其中,该照射步骤系响应该控制步骤的照射位置的 控制,而在该阻剂层表面上以横亘轨道的方向横跨 多个轨道的方式射出该电子束。 图式简单说明: 第1图系显示重覆具有伺服带和资料带的结构之磁 碟的示意图; 第2图系为显示本发明之电子束记录装置的示意图 ; 第3图为显示偏转控制器之操作的流程图; 第4图系显示伺服带、资料带之图样; 第5图系显示形成第4图所示之伺服带、资料带图 样的方法; 第6图系显示不同的伺服带、资料带图样; 第7图系显示形成第6图所示之伺服带、资料带图 样的方法; 第8图系显示本发明之一电子束记录装置; 第9图系显示用于第8图所示之装置的小孔板( aperture plate)中之每一小孔的形状; 第10图系显示用于第8图所示之装置中的电子束调 变器之操作的流程图; 第11图系显示当使用第8图所示之装置时,形成第4 图所示之伺服带、资料带图样的方法; 第12图系显示当使用第8图所示之装置时形成第6图 所示之伺服带、资料带图样的方法; 第13图系显示本发明之一电子束记录装置; 第14图系为显示用于第13图所示之装置的偏转控制 器之操作的流程图; 第15图系显示制造母板(stamper)的制程;以及 第16图系显示制造基板的制程。 |
