| 主权项 |
1.一种配线基板,系具备:绝缘性基材、排列于该绝 缘性基材上之复数条导体配线、及形成于各该导 体配线之突起电极,其特征在于: 该突起电极,系穿越该导体配线之长边方向而到达 该导体配线两侧之该绝缘性基材上的区域,该导体 配线之宽度方向的截面形状系中央部较两侧为高 。 2.一种配线基板,系具备:绝缘性基材、排列于该绝 缘性基材上之复数条导体配线、及形成于各该导 体配线之突起电极,其特征在于: 该突起电极,系穿越该导体配线之长边方向而到达 该导体配线两侧之该绝缘性基材上的区域,该突起 电极的上面系呈平坦状。 3.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中该突 起电极,系在该导体配线之两侧部与该绝缘性基材 面接触。 4.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中该突 起电极之导体配线之长边方向的纵截面形状,系呈 实质上长方形。 5.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中该导 体配线及突起电极,系以与形成该等之金属不同的 金属实施镀敷。 6.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中,该突 起电极之穿越该导体配线的方向,系与该导体配线 的长边方向正交。 7.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中该导 体配线,系在前端部具有较其他区域宽度为窄的区 域,且在该宽度较窄区域形成该突起电极。 8.一种配线基板之制造方法,其特征在于具备以下 步骤: 将复数条导体配线排列于绝缘性基材上之步骤; 在该绝缘性基材之导体配线设置面形成光阻之步 骤; 在该光阻形成穿越该导体配线而往该导体配线两 侧的区域扩展之开口部,在该开口部中使该导体配 线的一部份露出;及 对该露出之导体配线的一部份施以金属镀而形成 突起电极之步骤。 9.如申请专利范围第8项之配线基板之制造方法,其 中该开口部,系形成横跨该复数条导体配线之孔。 10.如申请专利范围第9项之配线基板之制造方法, 其中,在该光阻形成开口部之步骤中,使用具有光 透过区域横跨该复数条导体配线的部分之曝光光 罩、或具有光遮断区域横跨该复数条导体配线的 部分之曝光光罩,以进行该光阻之曝光。 11.如申请专利范围第10项之配线基板之制造方法, 其中,该曝光光罩之光透过区域或光遮断区域之长 边方向系与该导体配线之长边方向正交。 12.如申请专利范围第8至11项中任一项之配线基板 之制造方法,其系藉由电镀来施以该镀敷。 13.如申请专利范围第8至11项中任一项之配线基板 之制造方法,其系使沿该绝缘性基材之半导体搭载 部之短边方向排列之该导体配线,形成较沿长边方 向排列之该导体配线的宽度为宽;且将形成于该光 阻之开口部,在该绝缘性基材之长边所对应的部分 设成连续形状,而在其短边所对应的部分则配置个 别的开口部。 14.如申请专利范围第8至11项中任一项之配线基板 之制造方法,其系在该绝缘性基材之导体配线的前 端部设置较其他区域宽度为窄的区域,且在该宽度 较窄的区域形成该突起电极。 图式简单说明: 图1系表示实施形态1之载带基板的一部份之立体 图。 图2A系表示该载带基板的一部份之俯视图;图2B系 该载带基板以截面表示之前视图;图2C系图2B中A-A 截面图。 图3A1~F1系表示实施形态2之载带基板之制造方法的 步骤中载带基板的一部份之俯视图;图3A2~F2系分别 对应于图3A1~F1之放大截面图。 图4系表示半导体元件之一例的俯视图。 图5系表示用于载带基板之制造之形成有导体配线 之薄膜基材之俯视图。 图6系表示藉由实施形态2之制造方法所制造之载 带基板之一例之半导体搭载部之俯视图。 图7系表示藉由实施形态2之制造方法所制造之载 带基板之另一例之半导体搭载部之俯视图。 图8系表示实施形态2之曝光光罩之一例的俯视图 。 图9系表示实施形态2之变形例之设有导体配线之 载带基板之俯视图。 图10A系表示实施形态2之另一例之使用曝光光罩之 曝光步骤之俯视图;图10B系表示其放大截面图。 图11系表示实施形态3之载带基板之俯视图。 图12系表示实施形态4之半导体装置之截面图。 图13A、B系表示实施形态4之半导体装置之制造方 法之另一例之截面图。 图14系表示习知例之COF的一部份之截面图。 图15A1~F1系表示习知例之载带基板之制造步骤中薄 膜基板的一部份之俯视图;图15A2~F2系分别对应于 图15A1~F1之放大截面图。 图16A、B系表示藉由图15之制造步骤所制成之载带 基板的一部份之截面图。 图17系表示在图16之载带基板上组装半导体元件的 样子之截面图。 图18系表示用以说明图15之制造步骤的课题之载带 基板的一部份之截面图。 |
