发明名称 薄板制造方法、薄板制造装置及基底板
摘要 本发明系以提供可利用生产规模之扩大大幅提高制造效率,且划时代地降低单位面积之制造成本之薄板制造方法及薄板制造装置为目的,在利用将基底板(2)之表层部浸泡于矽熔液(10),使矽(1)附着于该基底板之表面之浸泡处理,制造矽薄板之际,在分离形成于基底板之表面之矽薄板(1)与基底板(2)后,将分离矽薄板(1)之基底板(2)再使用于浸泡处理。
申请公布号 TWI279460 申请公布日期 2007.04.21
申请号 TW092117644 申请日期 2003.06.27
申请人 夏普股份有限公司 发明人 胡间修二;五角博纯;矢野光三郎
分类号 C30B28/04(2006.01) 主分类号 C30B28/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种薄板制造方法,其系利用将基底板之表层部 浸泡于至少含金属材料及半导体材料中之一方之 物质之熔液,使薄板附着于该基底板之表面之浸泡 处理,藉以制造薄板者; 在分离形成于前述基底板之表面之前述薄板与前 述基底板后,将分离前述薄板之基底板再利用于前 述浸泡处理;在依据基底板之外观检查及/或基底 板之使用经历调查之判别工序中,将判定为可再度 利用于浸泡处理之基底板再度利用于前述浸泡处 理; 在前述判别工序中,分离前述薄板之前述基底板系 被施行包含如下3种中之1种之判别:(a1)可使用于前 述浸泡处理、(a2)在使用于前述浸泡处理之前,需 要加工处理、及(a3)应予废弃处分者。 2.一种薄板制造方法,其系利用将基底板之表层部 浸泡于至少含金属材料及半导体材料中之一方之 物质之熔液,使薄板附着于该基底板之表面之浸泡 处理,藉以制造薄板者; 在分离形成于前述基底板之表面之前述薄板与前 述基底板后,将分离前述薄板之基底板再利用于前 述浸泡处理; 在依据基底板之外观检查及/或基底板之使用经历 调查之判别工序中,将判定为可再度利用于浸泡处 理之基底板再度利用于前述浸泡处理;在前述基底 板可通过之路径之特定处,配置可识别前述基底板 之检测器,基底板管理电脑接收来自前述检测器之 讯号,以便管理前述基底板之使用经历。 3.如申请专利范围第2项之薄板制造方法,其中前述 基底板系包含基底板固有之识别标记、或将多数 片基底板组成1批之际之批识别标记,并配置可读 取前述识别标记之检测器,基底板管理电脑接收来 自前述检测器之讯号,以管理前述基底板或前述批 之使用经历。 4.一种薄板制造方法,其系利用将基底板之表层部 浸泡于至少含金属材料及半导体材料中之一方之 物质之溶液,使薄板附着于该基底板之表面之浸泡 处理,藉以制造薄板者; 在分离形成于前述基底板之表面之前述薄板与前 述基底板后,将分离前述薄板之基底板再利用于前 述浸泡处理;在依据基底板之外观检查及/或基底 板之使用经历调查之判别工序中,将判定为可再度 利用于浸泡处理之基底板再度利用于前述浸泡处 理;在前述基底板之路径中之一个位置,管理前述 基底板之使用次数、加工次数及前述基底板之厚 度之至少1种。 5.一种薄板制造方法,其系利用将基底板之表层部 浸泡于至少含金属材料及半导体材料中之一方之 物质之熔液,使薄板附着于该基底板之表面之浸泡 处理,藉以制造薄板者; 在分离形成于前述基底板之表面之前述薄板与前 述基底板后,将分离前述薄板之基底板再利用于前 述浸泡处理;在依据基底板之外观检查及/或基底 板之使用经历调查之判别工序中,将判定为可再度 利用于浸泡处理之基底板再度利用于前述浸泡处 理;配置测定使用于前述浸泡处理之基底板之厚度 之厚度检测器,依照其厚度,修正将前述基底板浸 泡于前述熔液之际之基底板之轨道。 6.一种薄板制造方法,其系利用将基底板之表层部 浸泡于至少含金属材料及半导体材料中之一方之 物质之熔液,使薄板附着于该基底板之表面之浸泡 处理,藉以制造薄板者; 在分离形成于前述基底板之表面之前述薄板与前 述基底板后,将分离前述薄板之基底板再利用于前 述浸泡处理;在依据基底板之外观检查及/或基底 板之使用经历调查之判别工序中,将判定为可再度 利用于浸泡处理之基底板再度利用于前述浸泡处 理;依据前述基底板管理电脑之前述基底板厚度之 推定値或实测値,利用前述基底板管理电脑修正浸 泡于前述熔液之该基底板之轨道。 7.一种基底板,其系使用于一薄板制造方法者,且包 含该基底板固有之识别标记、或在将多数片基底 板组成1批之际之批识别标记者,其中该薄板制造 方法,其系利用将基底板之表层部浸泡于至少含金 属材料及半导体材料中之一方之物质之熔液,使薄 板附着于该基底板之表面之浸泡处理,藉以制造薄 板者; 在分离形成于前述基底板之表面之前述薄板与前 述基底板后,将分离前述薄板之基底板再利用于前 述浸泡处理;在依据基底板之外观检查及/或基底 板之使用经历调查之判别工序中,将判定为可再度 利用于浸泡处理之基底板再度利用于前述浸泡处 理。 8.一种薄板制造装置,其系利用将基底板之表层部 浸泡于至少含金属材料及半导体材料中之一方之 物质之熔液,使薄板附着于该基底板之表面之浸泡 处理,藉以制造薄板者,其特征在于包含: 一装置,其系分离前述薄板与前述基底板者;与 一分配手段,其系将分离前述薄板之基底板分配至 使用于前述浸泡处理之路径、施行加工处理之路 径、及将其列为废弃处分之路径中之一方者。 9.如申请专利范围第8项之薄板制造装置,其中具备 管理前述基底板之使用经历及/或形状之基底板管 理手段。 10.如申请专利范围第8项之薄板制造装置,其中在 前述基底板之移动路径中之一个位置包含检测前 述基底板之厚度之厚度检测器。 11.如申请专利范围第8项之薄板制造装置,其中包 含可检查用于判定前述分离薄板之基底板是否可 使用之基底板检查装置。 12.如申请专利范围第8项之薄板制造装置,其中在 前述基底板检查装置中,可检查表面形状及形状, 将检查结果送至前述基底板管理手段,并可利用该 基底板管理手段执行包含用于浸泡处理、施行加 工处理、及予废弃处分中之一种之判定之判别。 13.如申请专利范围第8项之薄板制造装置,其中包 含在前述基底板打印使用次数及/或加工次数之打 印装置。 14.一种基底板,其系使用于如申请专利范围第8项 之薄板制造装置者,且包含该基底板固有之识别标 记、或在将多数片基底板组成1批之际之批识别标 记者。 图式简单说明: 图1A及图1B系例示本发明之实施形态之浸泡机构之 装置之图,图1A系配置图,图1B系浸泡机构之立体图 。 图2系配合基底板厚度调整浸泡轨道之方法之说明 图。 图3系表示本发明之实施形态之薄板制造工序之图 。 图4系表示图3之薄板制造工序之基底板判别工序 之图。 图5系表示基底板之判别方法之另一形态之图。 图6系表示形成于基底板之表面之矽薄板之图。 图7系由基底板分离矽薄板之工序之图。 图8系切断矽薄板之端部之形态之图。 图9系切断矽薄板之端部之工序之说明图。 图10系移送端部被切除之矽薄板之工序之图。 图11系检查端部被切除之矽薄板之工序之图。 图12系在本发明之实施形态中,例示浸泡机构之另 一装置之图。 图13系在本发明之实施形态中,例示浸泡机构之又 另一装置之图。 图14A及图14B系表示基底板之表面状态之图,图14A系 表示刚加工后之基底板之表面之图,图14B系表示重 复使用后之基底板之表面之图。
地址 日本
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