| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的操作方法,适用于操作一 记忆胞列,该记忆胞列至少包括:一主体层,位于一 绝缘层上矽(Silicon On Insulator)基底中;多数个浮置 闸极,位于该主体层上;多数个源极/汲极区,位于相 邻两该些浮置闸极之间的该主体层中;一控制闸极 ,位于该些浮置闸极上;该操作方法包括: 进行抹除操作时,在该记忆胞列选定之一第一源极 /汲极区施加一第一电压,于选定之一第二源极/汲 极区施加一第二电压,以对于该第一源极/汲极区 与该第二源极/汲极区之间的一记忆胞区块进行抹 除操作。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中该第一电压与该第二电压为正电压 。 3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中该第一电压与该第二电压为3伏特~ 10伏特。 4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中于进行抹除操作时,更包括于该控 制闸极施加一第三电压。 5.如申请专利范围第4项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中该第三电压小于或等于0伏特。 6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中于进行抹除操作时,更包括于该记 忆胞区块两侧之二该些记忆胞之该浮置闸极下方 的该主体层施加一第四电压,以避免抹除该记忆胞 区块以外之该些记忆胞。 7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中该第四电压为0伏特。 8.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中于进行抹除操作时,更包括利用FN穿 隧效应(Fowler-Nordheim Tunneling)进行抹除操作。 9.一种非挥发性记忆体的操作方法,适用于操作一 记忆胞阵列,该记忆胞阵列至少包括多数个记忆胞 ,设置于一主体层上,该主体层位于一绝缘层上矽 基底中,各该些记忆胞至少包括一浮置闸极、位于 该浮置闸极两侧之该主体层中的多数个源极/汲极 区、位于该浮置闸极上的一控制闸极,其中相邻两 该些记忆胞共用一个源极/汲极区;多数条字元线 在列方向平行排列,且各该些字元线分别连接一列 之该些记忆胞之该控制闸极;多数条位元线在行方 向平行排列,各该些位元线连接一行之该些记忆胞 的该源极/汲极区;多数条主体线在行方向上平行 排列,各该些主体线连接一行之各该些记忆胞之该 浮置闸极下方的该主体层;该操作方法包括: 进行抹除操作时,于选定之该或该些记忆胞所耦接 之该字元线上施加一第一电压,于选定之该或该些 记忆胞的一侧所耦接之一第一位元线施加一第二 电压,于选定之该或该些记忆胞另一侧所耦接之一 第二位元线施加一第三电压,以抹除该第一位元线 与该第二位元线间之该或该些记忆胞。 10.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中该第一电压小于或等于0伏特。 11.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中该第二电压与该第三电压为正电压 。 12.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中该第二电压与该第三电压为3伏特~ 10伏特。 13.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中于进行抹除操作时,更包括于该第 一位元线与该第二位元线外侧之二该些主体线施 加一第四电压,以针对选定之该第一位元线与该第 二位元线间之该或该些记忆胞进行抹除操作。 14.如申请专利范围第13项所述之非挥发性记忆体 的操作方法,其中该第四电压为0伏特。 15.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体的 操作方法,其中于进行抹除操作时,更包括利用FN穿 隧效应(Fowler-Nordheim Tunneling)进行抹除操作。 图式简单说明: 图1所绘示为依照本发明一较佳实施例之一种非挥 发性记忆胞阵列之电路简图。 图2所绘示为依照本发明一较佳实施例之一种非挥 发性记忆体元件之结构剖面图。 图3所绘示为依照本发明一较佳实施例之一种非挥 发性记忆体元件之操作示意图。 |
