| 主权项 |
1.一种画像显示装置,其特征为具备:依通电而发光 之发光手段;至少具备第1端子和第2端子,且因应比 在前述第1端子和前述第2端子之间所施加之规定 的驱动临限値还高的电位差而控制前述发光手段 的发光之驱动手段;用以检测与前述驱动手段之前 述第1端子和前述第2端子间之前述驱动临限値对 应的临限値电压之临限値电压检测手段;与前述驱 动手段连接之电容可变手段。 2.如申请专利范围第1项之画像显示装置,其中 前述电容可变手段之电容値系因应存在于前述驱 动手段的端子间之寄生电容、及存在于前述临限 値电压检测手段所具有的端子间之寄生电容的大 小而被决定该値。 3.如申请专利范围第1项之画像显示装置,其中 被连接在前述临限値电压检测手段之选择信号线 和被连接在该选择信号线之控制信号线系至少一 部份被共用。 4.如申请专利范围第1项之画像显示装置,其中 前述电容可变手段系为包含有薄膜电晶体及与该 薄膜电晶体连接之电容元件的连接回路,该连接回 路之一端被连接至前述驱动手段。 5.如申请专利范围第1项之画像显示装置,其中 前述电容可变手段系为可变电容元件,其具备第1 电极、和较该第1电极还小面积的第2电极、以及 在前述第1电极和前述第2电极之间所配置之绝缘 层及通道层。 6.如申请专利范围第5项之画像显示装置,其中 前述通道层系与前述第2电极接触。 7.如申请专利范围第5项之画像显示装置,其中 前述驱动手段及/或前述临限値电压检测手段系包 含薄膜电晶体而构成,前述薄膜电晶体的通道层与 前述可变电容元件的通道层系利用相同材料以大 致相等的厚度来形成。 8.如申请专利范围第7项之画像显示装置,其中 前述薄膜电晶体之通道层及/或绝缘层,与前述可 变电容元件之通道层及/或绝缘层系以同一工程所 形成。 9.如申请专利范围第5项之画像显示装置,其中 前述驱动手段及/或前述临限値电压检测手段系包 含薄膜电晶体而构成,前述薄膜电晶体的绝缘层与 前述可变电容元件的绝缘层系利用相同的材料以 大致相等的厚度来形成。 10.如申请专利范围第9项之画像显示装置,其中 前述薄膜电晶体之绝缘层与前述可变电容元件之 绝缘层系以同一工程所形成。 11.一种画像显示装置,其特征为使用有可变电容元 件,而其具备:第1电极;配置在该第1电极上之绝缘 层;配置在该绝缘层上之通道层;配置在该通道层 上且为比前述第1电极面积还小的第2电极。 12.如申请专利范围第11项之画像显示装置,其中 前述通道层之导电性系因应前述第1电极与前述第 2电极之间的电位差而变化。 13.一种画像显示装置之驱动方法,该画像显示装置 具备:依通电而发光之发光元件;具有闸极电极、 源极电极及汲极电极而前述源极电极及前述汲极 电极中任一方的电极被电气连接于前述发光元件 之驱动电晶体;和因应扫描信号而将前述驱动电晶 体的前述闸极电极和前述驱动电晶体之前述一方 的电极短路之开关电晶体;以及被连接至前述驱动 电晶体的闸极电极之电容可变手段;且 该画像显示装置之驱动方法的特征为 包含有:第1工程,将前述驱动电晶体及前述开关电 晶体设定为导通,依此而透过前述开关电晶体将前 述驱动电晶体的闸极电极和前述驱动电晶体的前 述源极电极及前述汲极电极当中之他方的电极作 电气连接,将前述闸极电极相对于前述驱动电晶体 之前述他方的电极之电位设为驱动临限値;第2工 程,将前述驱动电晶体设定成截止同时将前述开关 电晶体设定成导通,依此而将前述发光元件之亮度 电位供给至前述驱动电晶体的闸极电极;第3工程, 将前述驱动电晶体设定成导通,同时将前述开关电 晶体设定成截止,依此而对前述发光元件进行通电 并依据被供给至前述驱动电晶体的闸极电极之前 述亮度电位而使前述发光元件发光;及 藉由使第1工程中的前述电容可变手段之电容値和 第3工程中的前述电容可变手段之电容値互异以抑 制前述驱动电晶体及前述开关电晶体的寄生电容 对前述发光元件之发光亮度的影响,其中第1工程 系将前述闸极电极相对于前述驱动电晶体之前述 他方的电极之电位设为驱动临限値,而第3工程系 使前述发光元件发光。 14.如申请专利范围第13项之画像显示装置之驱动 方法,其中、前述电容可变手段的电容値在第1工 程中系比在第3工程还大,其中第3工程系使前述发 光元件发光,而第1工程系将前述闸极电极相对于 前述驱动电晶体之前述他方的电极之电位设为驱 动临限値。 15.如申请专利范围第13项之画像显示装置之驱动 方法,其中、前述电容可变手段的电容値在第1工 程中呈大致一定,而该第1工程系将前述闸极电极 相对于前述驱动电晶体之前述他方的电极之电位 设为驱动临限値。 16.如申请专利范围第13项之画像显示装置之驱动 方法,其中、前述电容可变手段的电容値在使前述 发光元件发光的第3工程中系大致呈一定。 17.如申请专利范围第13项之画像显示装置之驱动 方法,其中、前述电容可变手段的电容値系于将前 述发光元件的亮度电位供给至前述驱动电晶体的 闸极电极之第2工程与使前述发光元件发光之第3 工程间作变化。 图式简单说明: 【第1图】系显示本发明之实施形态1所涉及的画 像显示装置之与1画素相对应之画素电路的构成之 图。 【第2图】系显示第1图所示的薄膜电晶体TFT之构 成的剖面图。 【第3-1图】系显示第1图所示之可变电容Cc的构成 之概略平面图。 【第3-2图】系显示第1图所示之可变电容Cc的构成 之X-X线视剖面图。 【第4图】系显示第1图及第3-1图、第3-2图所示的 可变电容Cc之每单位面积的电容变化之图表。 【第5图】系用以说明实施形态1的动作之时间图 。 【第6图】系用以说明第5图所示的准备期间之动 作图。 【第7图】系用以说明第5图所示的临限値电压检 测期间之动作图。 【第8图】系用以说明第5图所示的写入期间之动 作图。 【第9图】系用以说明第5图所示的发光期间之动 作图。 【第10图】系显示本发明之实施形态2所涉及的画 像显示装置之与1画素相对应的画素电路之构成图 。 【第11图】系显示电流控制型的画像显示装置之 与1画素相对应的画素电路之构成图。 【第12图】系显示本发明之实施形态3所涉及的画 像显示装置之与1画素相对应的画素电路之构成图 。 【第13图】系显示本发明之实施形态4所涉及的电 容可变手段之构成图。 【第14图】系显示适用第13图的电容可变手段之实 施形态4所涉及的画像显示装置之与1画素相对应 之画素电路的构成图。 【第15图】系显示Tc控制线的驱动波形之时间图。 【第16图】系显示Tth控制线11和Tc控制线50共用共 通之Tth/Tc控制线55的画素电路之构成例图。 【第17图】系显示以往的画像显示装置之与1画素 相对应之画素电路的构成图。 【第18图】系显示在第17图所示画素电路存在之寄 生电容等的图。 【第19图】系显示本发明之实施形态5所涉及的电 容可变手段之构成图。 【第20图】系显示适用第19图之电容可变手段的实 施形态5所涉及的画像显示装置之与1画素相对应 的画素电路之构成图。 【第21图】系显示第1Tc控制线及第2Tc控制线的驱 动波形之时间图。 【第22图】系显示第1Tth控制线61及第2Tth控制线62 和Tc控制线50共用共通之Tth/Tc控制线65的画素电路 之构成例图。 |
